4008-622-911
PANASONIC松下EEH-ZUU鋁電解電容器的介紹、特性、及應(yīng)用
PANASONIC松下EEH-ZUU SMD導(dǎo)電聚合物混合鋁電解電容器在125°C/135°C下具有4000小時的續(xù)航時間和系列最高的紋波電流處理能力。電容器的最大電容值為1000μF, 8個ZUU系列部件具有防振功能。所有松下EEH-ZUU SMD導(dǎo)電聚合物混合鋁電解電容器都符合AEC-Q200和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
特性
在125°C/135°C下的4000小時續(xù)航時間
更高紋波電流(最大為ZS系列的160%)
更大的電容(最大為ZU系列的180%)
AEC-Q200兼容
通過無鉛認(rèn)證
規(guī)范
-55℃~ +135℃分類溫度范圍
25V至63V額定電壓范圍
±20% (120Hz/+20°C)電容容限
120μF至680μF標(biāo)稱電容范圍(G12尺寸代碼)
180μF至1000μF標(biāo)稱電容范圍(G16尺寸代碼)
應(yīng)用領(lǐng)域
電動操舵
ADAS
大電流DC/DC變換器
AV產(chǎn)品
家用電器
商業(yè)設(shè)備
辦公設(shè)備
信息通信設(shè)備
推薦產(chǎn)品+
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歐盟出臺“重磅”芯片產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼計劃，英特爾等芯片公司承諾在歐洲建廠
歐盟日前宣布了一項重大的歐洲共同利益計劃。該計劃主要針對半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)，總投資超過210億歐元，其中81億歐元來自公共資金，其余部分來自私人投資。據(jù)悉，該計劃覆蓋半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的整個供應(yīng)鏈，涉及數(shù)十個歐盟成員國的56家企業(yè)和68個芯片研發(fā)項目。據(jù)歐盟估算，該計劃將創(chuàng)造直接就業(yè)崗位約8700個。該計劃出臺的背景，是近年來歐洲在芯片產(chǎn)業(yè)方面優(yōu)勢不再。根據(jù)歐盟公布的數(shù)據(jù)，2020年全球共制造了1萬億顆微芯片，其中歐洲制造的芯片占比不足10%，嚴(yán)重依賴亞洲的芯片制造商。要知道，在上世紀(jì)90年代，歐盟在全球芯片市場的份額高達(dá)40%。歐盟去年提出了《歐洲芯片法案》，計劃投入430億歐元振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。該法案的目標(biāo)是，到2030年，歐盟在全球芯片生產(chǎn)中的份額將增加到20%。此外，法案還要求提升歐盟國家芯片產(chǎn)能的工藝水平，并將其列入重要的目標(biāo)范圍：到2030年，歐盟能夠生產(chǎn)2納米及以下的高端芯片，以滿足自身和世界市場的需求。中國社科院歐洲所副研究員楊成玉在接受中央廣播電視總臺環(huán)球資訊廣播記者采訪時認(rèn)為，最新出臺的歐洲共同利益重要計劃與《歐洲芯片法案》關(guān)系緊密，說明歐盟加快了在芯片領(lǐng)域的發(fā)展速度。投資高達(dá)430億歐元的《歐洲芯片法案》可以看作是一個整體統(tǒng)籌，是歐洲扶持芯片產(chǎn)業(yè)的頂層規(guī)劃。而歐洲共同利益重要計劃，是歐盟成員國之間協(xié)同創(chuàng)新的計劃，它其實是對芯片法案的一個補(bǔ)充?？梢哉f，歐洲如今采取了“以補(bǔ)貼和公共資源去帶動芯片產(chǎn)業(yè)騰飛”的方式。在《歐洲芯片法案》的吸引下，美國英特爾公司等芯片生產(chǎn)商已承諾，在德國和法國斥資數(shù)十億歐元建設(shè)生產(chǎn)設(shè)施，并將根據(jù)新的法規(guī)尋求補(bǔ)貼。據(jù)外媒報道，英特爾公司還希望德國將已批準(zhǔn)的、用于辦芯片工廠的68億歐元補(bǔ)貼，提升至大約100億歐元。對此，德國財政部長克里斯蒂安·林德納則表示“給不起”!楊成玉分析指出，芯片生產(chǎn)商要求提高補(bǔ)貼力度，反映出歐洲本土芯片產(chǎn)業(yè)的建設(shè)成本是非常高的。雖然《歐洲芯片法案》為芯片企業(yè)赴歐洲建廠提供了可觀的公共補(bǔ)貼，但相關(guān)的高額成本無法通過補(bǔ)貼的方式完全解決。此外，德國作為歐洲經(jīng)濟(jì)的火車頭，在補(bǔ)貼資金支付方面尚且面臨壓力，可以想象，歐盟的其他成員國在補(bǔ)貼方面會承受更大壓力。楊成玉進(jìn)一步分析指出，近年來，歐盟試圖通過數(shù)字化轉(zhuǎn)型實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的突破，但能否取得預(yù)期的效果，還很難說。新的歐洲共同利益重要計劃能否取得預(yù)期效果，主要看兩個層面。第一是對外層面，主要是看相關(guān)立法和計劃能否吸引更多的外國芯片巨頭來歐洲發(fā)展。而這個層面受限于歐洲國家提供公共補(bǔ)貼的規(guī)模。從英特爾公司的事件上來看，這方面的力度是有待觀察的。第二是從歐洲內(nèi)部的層面看，希望通過相關(guān)法案和計劃，去鼓勵本土的芯片企業(yè)發(fā)展，另外還要幫扶本土的初創(chuàng)企業(yè)。而從現(xiàn)在《歐洲芯片法案》的實施路徑來看，公共補(bǔ)貼的對象主要是大型的芯片制造商，留給初創(chuàng)企業(yè)的資源明顯不足。因此，后續(xù)歐盟能否建立2納米級別芯片的關(guān)鍵部門，還有待觀察。
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英飛凌OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線：2024年大規(guī)模轉(zhuǎn)向SiC，GaN要到2025年后
車載充電機(jī)OBC在新能源汽車上往往承載著慢充的需求，將交流充電樁輸入的交流電轉(zhuǎn)換成可以直接為動力電池充電的直流電。不過，隨著大功率直流快充的逐漸普及，交流慢充由于需要額外增加OBC模塊，增加車身重量、占用車內(nèi)空間的同時，還提高了成本，因此近幾年已經(jīng)開始有一些車企取消電動汽車上的OBC以及交流慢充口的配置。最近在IEDM 2023（ IEEE國際電子器件會議）上，英飛凌公布了其OBC產(chǎn)品的戰(zhàn)略路線，推動第三代半導(dǎo)體在OBC上的應(yīng)用。采用SiC和GaN，提高OBC模塊功率密度英飛凌強(qiáng)調(diào)，在很多應(yīng)用中，未來高效的功率半導(dǎo)體技術(shù)需求將會急劇增加。具體來說，這些需求將會在電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電池驅(qū)動的非高峰電源等應(yīng)用中凸顯，以SiC和GaN為代表的功率半導(dǎo)體應(yīng)用將會加速推進(jìn)。SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，基于這兩種材料所制造的功率器件，開關(guān)損耗大幅減少，在高壓和大功率應(yīng)用中相比硅基的功率器件有一定優(yōu)勢。近年電動汽車的市場滲透率進(jìn)入快速增長期，SiC功率器件的應(yīng)用也隨著800V平臺逐步推廣而越來越多。以電動汽車中的主驅(qū)逆變器為例，英飛凌展出了使用SiC功率半導(dǎo)體和硅基功率半導(dǎo)體的情況，在WLTP標(biāo)準(zhǔn)行駛條件下，應(yīng)用了SiC功率半導(dǎo)體的主驅(qū)逆變器，能夠增加10%~12%的行駛距離。英飛凌給出了一個邏輯：雖然SiC要比硅基IGBT更貴，但在同樣的續(xù)航里程下，使用硅基IGBT需要配備更大容量的電池包。那么從系統(tǒng)的角度來看，SiC即使是價格更高，但也能夠一定程度上降低系統(tǒng)成本。而按照英飛凌的OBC技術(shù)路線圖，2020年OBC的功率密度約是2kW/L，主要采用硅基功率半導(dǎo)體；到2024年將會大規(guī)模轉(zhuǎn)向SiC，功率密度提升至4kW/L；到2025年后，才會推進(jìn)GaN進(jìn)入OBC，屆時功率密度將會提高至6kW/L以上。OBC已經(jīng)大量采用SiC，GaN落地正在加速實際上，OBC上應(yīng)用SiC要比我們想象的更加早。早在2018年，比亞迪就在旗下車型中搭載了采用SiC MOSFET的OBC、DC/DC等部件，目前來看，特斯拉、現(xiàn)代、捷豹路虎、lucid等海外車企也已經(jīng)在OBC上大規(guī)模使用SiC，同時目前多家第三方供應(yīng)商也推出了SiC OBC，并在多款車型上實現(xiàn)落地應(yīng)用。另一方面，目前多家大廠也正在努力推動GaN進(jìn)入到OBC中。但GaN要進(jìn)入到電動汽車主驅(qū)等關(guān)鍵動力系統(tǒng)中并不容易，前面提到主機(jī)廠在主驅(qū)、OBC上應(yīng)用GaN產(chǎn)品的意愿不太強(qiáng)烈，其中原因大概有兩點(diǎn)：一是在性能上，汽車主驅(qū)或者OBC等高壓應(yīng)用中GaN的性能相比碳化硅是有差距的，而成本上GaN又不及硅基器件，車企從性能和成本兩個方面都沒有太大的驅(qū)動力去使用GaN；二是GaN沒有在新能源汽車高壓電路中大規(guī)模應(yīng)用的案例，車企往往不愿意冒這個風(fēng)險，特別是在涉及到汽車運(yùn)行安全的主驅(qū)中。不過，隨著GaN在消費(fèi)領(lǐng)域的體量增加，成本逐步接近硅基功率器件，那么接下來在汽車領(lǐng)域，采用GaN的部件成本可能也將很快接近同類的車規(guī)硅基功率器件。今年以來，包括英諾賽科、GaN Systems（已被英飛凌收購）、意法半導(dǎo)體、安世半導(dǎo)體等企業(yè)都在OBC應(yīng)用上有所進(jìn)展。比如英諾賽科推出了全氮化鎵OBC解決方案；安世半導(dǎo)體預(yù)計GaN量產(chǎn)產(chǎn)品會在2024-2025年應(yīng)用到400V平臺電動汽車上；意法半導(dǎo)體推出新款的車規(guī)GaN器件，其中還包括更大功率的封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝，有望能在電動汽車高壓系統(tǒng)中應(yīng)用。總結(jié)：隨著對OBC小體積、低重量的要求不斷提高，OBC的方案從IGBT過渡至SiC和GaN只是時間問題。不過關(guān)于OBC是否需要保留，未來依然是值得討論的問題。
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