4008-622-911
TI德州儀器CSD18511KCS N溝道MOSFET的介紹、特性以及應(yīng)用領(lǐng)域
TI德州儀器生產(chǎn)的CSD18511KCS作為 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET?功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成大大降低功率轉(zhuǎn)換 損耗的理想選擇。
CSD18511KCS特性
低 Qg和 Qgd
低 RDS(ON)
低熱阻
雪崩額定值
無(wú)鉛引腳鍍層
符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鹵素
晶體管 (TO)-220 塑料封裝
CSD18511KCS應(yīng)用范圍
? 次級(jí)側(cè)同步整流器
? 電機(jī)控制
應(yīng)用框圖
封裝引腳圖
其他數(shù)據(jù)
如果您需要采購(gòu)或者了解TI德州儀器和其他進(jìn)口品牌相關(guān)芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格書(shū)、價(jià)格、樣品測(cè)試請(qǐng)聯(lián)系我們。
推薦產(chǎn)品+
相關(guān)推薦
-
-
麻省理工取得芯片領(lǐng)域突破！任正非呼吁，堅(jiān)持自主研發(fā)
麻省理工取得芯片領(lǐng)域突破！任正非呼吁，堅(jiān)持自主研發(fā)。芯片作為電子信息產(chǎn)業(yè)最為基礎(chǔ)的元器件，一直以來(lái)都是科技領(lǐng)域最為重要的技術(shù)之一。2019年，麻省理工學(xué)院在芯片領(lǐng)域取得重大突破，這不僅是科技界的好消息，也是對(duì)國(guó)際產(chǎn)業(yè)格局的有效引導(dǎo)。不過(guò)，隨著中國(guó)在自主研發(fā)上的不斷進(jìn)步，中國(guó)已經(jīng)追上了近80年，取得彎道超車的機(jī)會(huì)。華為總裁任正非呼吁國(guó)內(nèi)應(yīng)該加強(qiáng)自主研發(fā)，關(guān)注芯片的投資和研發(fā)，提高核心芯片的質(zhì)量。在這種背景下，本文將探討芯片領(lǐng)域的最新突破，中國(guó)在這一領(lǐng)域的發(fā)展以及應(yīng)對(duì)技術(shù)制裁的應(yīng)對(duì)之道。麻省理工取得芯片領(lǐng)域突破麻省理工學(xué)院在芯片領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。他們發(fā)現(xiàn)，集成電路芯片可以通過(guò)以“點(diǎn)”為基礎(chǔ)構(gòu)建，最終形成完整的電路。這種點(diǎn)之間的較短連接方式提高了集成電路芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度。由于芯片處理的是大量數(shù)據(jù)信息，數(shù)據(jù)傳輸速度的提升可以大幅提高整個(gè)芯片系統(tǒng)的速度。華為總裁任正非表示，麻省理工的芯片領(lǐng)域創(chuàng)新成果將會(huì)為整個(gè)科技行業(yè)帶來(lái)很大的推動(dòng)力，對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)也是一次寶貴的機(jī)遇。同時(shí)，任正非也指出，中國(guó)要停止當(dāng)下自己的“自嗨”行為，也要致力于在科技上的研究，否則會(huì)導(dǎo)致技術(shù)被遏制的情況發(fā)生。堅(jiān)持自主研發(fā)中國(guó)在很多的科技領(lǐng)域中還是依靠購(gòu)買其他國(guó)家的設(shè)備來(lái)完善自己的產(chǎn)品，但是在最初的時(shí)候，中國(guó)需要借助其他國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)來(lái)提升我國(guó)在相應(yīng)科技領(lǐng)域的發(fā)展。而在科技領(lǐng)域中，自主研發(fā)是關(guān)鍵。因?yàn)橹袊?guó)與其他發(fā)展國(guó)家相比發(fā)展有明顯的時(shí)間差，中國(guó)之前和其他國(guó)家的發(fā)展速度相差了近一百年的速度，但是隨著中國(guó)人在自主研發(fā)上的不斷進(jìn)步，已經(jīng)追上了近80年。中國(guó)成功自主研發(fā)了高鐵輪對(duì)并進(jìn)入到了實(shí)用階段，同時(shí)也幫助印度找到了相應(yīng)的突破口，印度和中國(guó)直接購(gòu)買了3萬(wàn)對(duì)的輪對(duì)零件。中國(guó)對(duì)于科技的投資和研發(fā)越來(lái)越重視，不再依賴進(jìn)口科技，而是在自己的技術(shù)實(shí)力上發(fā)力，并在相關(guān)領(lǐng)域取得了成功。面臨制裁華為作為中國(guó)芯片領(lǐng)域最具實(shí)力的代表，正面臨著來(lái)自美國(guó)的技術(shù)制裁。日德兩國(guó)在保證自己國(guó)家的技術(shù)發(fā)展的同時(shí)，也想要通過(guò)遏制的方式來(lái)拖垮中國(guó)的高鐵發(fā)展速度。不過(guò)，中國(guó)堅(jiān)持自己的發(fā)展方向，沒(méi)有嘩眾取寵或者是宣之于眾。而且，在芯片方面，中國(guó)通過(guò)自主研發(fā)的方式，已經(jīng)在一些領(lǐng)域取得了成功，并向全世界展示了自己的實(shí)力。信念和未來(lái)中國(guó)人一直堅(jiān)信自己也能夠創(chuàng)造出同樣技術(shù)的設(shè)備，并且在我們堅(jiān)持不懈的努力下還能夠擁有更好的發(fā)展。中國(guó)在過(guò)去幾年的科技發(fā)展中，取得了巨大的成功，這也讓全球都看到了中國(guó)在未來(lái)科技競(jìng)爭(zhēng)中的實(shí)力。我們要繼續(xù)加強(qiáng)自主研發(fā)，不斷創(chuàng)新，讓中國(guó)在未來(lái)的科技領(lǐng)域中再次實(shí)現(xiàn)彎道超車。
-
-
賽靈思XCKU035-2FBVA900E的技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用
XCKU035-2FBVA900E是賽靈思Xilinx的Kintex UltraScale系列FPGA器件，具有以下技術(shù)參數(shù)。– 芯片型號(hào)：XCKU035-2FBVA900E– FPGA系列：Kintex UltraScale– FPGA容量：35萬(wàn)邏輯單元– 存儲(chǔ)器容量：2.4 Mb BRAM– DSP數(shù)量：900個(gè)– 最大時(shí)鐘頻率：450 MHz– 通信接口：Gigabit Ethernet、PCI Express、USB、JTAG等– 工作電壓：0.95V-1.05V– 封裝形式：FCBGA-900XCKU035-2FBVA900E廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信、視頻、圖像處理、醫(yī)療、工業(yè)控制等領(lǐng)域。例如：– 高性能計(jì)算：用于加速計(jì)算密集型應(yīng)用，如人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)等。– 通信：用于實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸和處理，如5G通信、衛(wèi)星通信、光纖通信等。– 視頻：用于實(shí)現(xiàn)高清視頻處理和編解碼，如視頻監(jiān)控、視頻會(huì)議、數(shù)字電視等。– 圖像處理：用于實(shí)現(xiàn)圖像處理和識(shí)別，如醫(yī)療影像、機(jī)器視覺(jué)、無(wú)人駕駛等。– 工業(yè)控制：用于實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集和控制，如工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人控制、智能交通等。
哦! 它是空的。