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此前公布的財(cái)報(bào)顯示,第三季度士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入24.24億元,同比增長(zhǎng)17.68%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)虧損1.48億元,同比由盈轉(zhuǎn)虧。
在今年下游消費(fèi)電子需求低迷導(dǎo)致的行業(yè)壓力下,士蘭微加大高門檻市場(chǎng)推廣力度,連續(xù)三個(gè)季度保持單季營(yíng)收的增長(zhǎng)。士蘭微表示,公司的盈利壓力主要是由于12吋產(chǎn)線沒有滿產(chǎn)、LED業(yè)務(wù)虧損和銷售價(jià)格回落造成。針對(duì)這些士蘭微計(jì)劃最晚明年Q3 12吋產(chǎn)線滿產(chǎn),LED業(yè)務(wù)也有整改方案正在推進(jìn)中。另外半年報(bào)顯示,士蘭微加大了模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、SiC功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度,公司總體營(yíng)收保持了較快的增長(zhǎng)勢(shì)頭。目前公司車用PIM模塊、LVMOS單管、IGBT單管等已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng),當(dāng)月銷售額已接近1億元左右。SiC產(chǎn)品方面,汽車主驅(qū)PIM模塊、OBC單管等已經(jīng)上車,客戶包括吉利、零跑、威邁斯等,更多客戶在導(dǎo)入驗(yàn)證中。此外,在充電樁使用的溝槽高壓MOS此前由于開發(fā)優(yōu)先級(jí)不高影響布局較晚,出貨較少,但預(yù)計(jì)在2024年將有實(shí)質(zhì)性改變。SiC芯片方面,6吋SiC芯片產(chǎn)能將在年底達(dá)到6000片/月,較當(dāng)前3000片/月翻一番。公司表示:SiC產(chǎn)能在抓緊進(jìn)行,客戶端導(dǎo)入也同步展開,但達(dá)到盈利規(guī)模的滿產(chǎn)需要一定時(shí)間。士蘭微表示:為了抓住時(shí)間窗口,公司持續(xù)投入高性能IGBT、SiC器件、車規(guī)級(jí)電路工藝平臺(tái)、MEMS傳感器等領(lǐng)域。今年前三個(gè)季度,公司研發(fā)費(fèi)用為5.84億元,較去年同期增加了21.23%。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新出刊的《2023中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,中國(guó)的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)(包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry)占比最高,達(dá)42.4%。
按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看,光伏儲(chǔ)能為中國(guó)SiC市場(chǎng)最大應(yīng)用場(chǎng)景,占比約38.9%,接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場(chǎng)作為未來發(fā)展主軸,即將超越光伏儲(chǔ)能應(yīng)用,其份額至2026年有望攀升至60.1%。士蘭微作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的IDM企業(yè),在特色工藝產(chǎn)品的參數(shù)細(xì)節(jié)優(yōu)化、質(zhì)量控制上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。此外,自有的芯片生產(chǎn)線在產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)度上具有明顯優(yōu)勢(shì)。這在過去幾年的IGBT、SiC芯片的研發(fā)上已經(jīng)有了很好的表現(xiàn),對(duì)后續(xù)公司獲得更多SiC功率市場(chǎng)大有裨益。
近日,中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立,將加快汽車功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間,獲悉,汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì),降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵。汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì) 在會(huì)上行業(yè)專家表示,一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。業(yè)內(nèi)人士表示,功率半導(dǎo)體,包括IGBT、碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體;業(yè)內(nèi)共識(shí)是,20萬(wàn)元以內(nèi)的電動(dòng)車用IGBT,20萬(wàn)元以上的電動(dòng)車用碳化硅功率半導(dǎo)體;碳化硅功率半導(dǎo)體損耗小、耐高壓、耐高溫,是功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展方向之一。目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。國(guó)產(chǎn)化是解決缺芯風(fēng)險(xiǎn)的辦法之一。目前,國(guó)內(nèi)的碳化硅供應(yīng)商,還沒有大規(guī)模供應(yīng)車規(guī)產(chǎn)品。加工硅要1500°C,加工碳化硅要2500°C;硅基襯底制作時(shí)間是兩三天,碳化硅襯底制作時(shí)間是兩三周。碳化硅器件的工藝要求高,所以成本約是硅基器件的數(shù)倍?,F(xiàn)在,碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝還不夠成熟,良率不是很高,成本較高,未來成本一定要降下來。降低成本是國(guó)產(chǎn)碳化硅器件上車關(guān)鍵 傳統(tǒng)汽車時(shí)代,新車開發(fā)要45個(gè)月;數(shù)字化時(shí)代,新車開發(fā)要18-24個(gè)月,因此芯片、模塊、電驅(qū)、整車開發(fā)需要同步進(jìn)行,需要整車廠與半導(dǎo)體廠深度協(xié)同?!癝iC處于汽車應(yīng)用的起步階段,需不斷提升SiC功率器件的生產(chǎn)制造良品率,滿足車規(guī)級(jí)量產(chǎn)質(zhì)量要求;SiC應(yīng)用于車輛屬于系統(tǒng)工程,需要整車、零部件、原材料生產(chǎn)企業(yè)的全產(chǎn)業(yè)鏈共同合作?!敝袊?guó)整車同行應(yīng)該多給國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體試錯(cuò)中改進(jìn)的機(jī)會(huì)。據(jù)行業(yè)跟蹤數(shù)據(jù),國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)在碳化硅芯片方面占據(jù)優(yōu)勢(shì),國(guó)產(chǎn)SiC芯片在整車上應(yīng)用的規(guī)模較小且產(chǎn)業(yè)鏈仍不成熟;國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè),在SiC模塊封裝方面開始形成規(guī)模,量產(chǎn)推廣速度加快。SiC模塊的成本有望在2025年降到同規(guī)格IGBT的1.5~2倍,采用SiC技術(shù)的汽車電機(jī)控制器的占比將逐步增加。如何降低成本、穩(wěn)定質(zhì)量,是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體在車上大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。碳化硅襯底目前占碳化硅芯片成本的約60%,因此降低襯底成本是重點(diǎn)。而現(xiàn)在碳化硅襯底的生產(chǎn)工藝還有三個(gè)瓶頸:一是晶體質(zhì)量,二是長(zhǎng)晶效率,三是切磨拋的損耗,這是行業(yè)內(nèi)各家企業(yè)都在努力攻克的難關(guān)。隨著產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)和產(chǎn)學(xué)研合作,未來有很大降本空間。主要方法:一是通過技術(shù)創(chuàng)新,提高效率和良率;二是規(guī)?;a(chǎn);三是設(shè)備、材料國(guó)產(chǎn)化。如,碳化硅晶錠在長(zhǎng)晶爐里15-20天長(zhǎng)3.5厘米,如果長(zhǎng)5厘米,效率將更高。目前,長(zhǎng)晶爐等設(shè)備已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化?!拔磥砣轿迥甏翱谄冢瑫?huì)給國(guó)內(nèi)裝備提供平等機(jī)會(huì)?!毙袠I(yè)呼喚標(biāo)準(zhǔn)完善以及避免盲目投資現(xiàn)在問題是未來兩三年產(chǎn)能嚴(yán)重不足,國(guó)際大芯片企業(yè)都在投資,更多投資在國(guó)外。中國(guó)是全球最大的新能源汽車市場(chǎng),博世也在尋找合作伙伴,在中國(guó)市場(chǎng)布局,形成一定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。對(duì)于碳化硅的缺口,2025年全世界2000萬(wàn)輛新能源汽車,如果B級(jí)以上車型15%-30%使用碳化硅功率半導(dǎo)體,那么碳化硅的缺口預(yù)計(jì)將達(dá)到150萬(wàn)-300萬(wàn)片6英寸晶圓。大家沖著這個(gè)缺口,拼命擴(kuò)產(chǎn)。但是,國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體真正有效產(chǎn)出、達(dá)到車規(guī)級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的不多,中低端的碳化硅功率半導(dǎo)體存在產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)。在避免盲目擴(kuò)張的呼聲之外,盡快完善汽車功率半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn),也是業(yè)界熱切期盼的?,F(xiàn)在每家車廠需要的功率器件“百花齊放”,讓供應(yīng)商的研發(fā)力量不能集中,能否讓汽車功率芯片、封裝的標(biāo)準(zhǔn)趨同,有利于集中精力辦大事。國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)的理事長(zhǎng)董揚(yáng)表示,成立功率半導(dǎo)體分會(huì)就是為了建立產(chǎn)業(yè)生態(tài),打通標(biāo)準(zhǔn)制訂、檢測(cè)認(rèn)證等各個(gè)環(huán)節(jié)。相信中國(guó)汽車功率半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)迎來大發(fā)展的機(jī)會(huì)。
芯片:追求幾納米的背后芯片大小的歷程在計(jì)算機(jī)科技領(lǐng)域,芯片一直是最重要的核心部件之一。隨著科技的不斷發(fā)展,芯片也經(jīng)歷了一次次的更新?lián)Q代。早期的芯片尺寸較大,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯片尺寸也越來越小。目前,芯片的尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)別。芯片大小的影響為什么芯片一直在追求幾納米幾納米?這是因?yàn)樾酒拇笮?duì)于計(jì)算機(jī)的性能影響非常大。芯片越小,面積就越小,電子元器件之間的距離就越短,電信號(hào)傳輸速度就越快。同時(shí),芯片的功耗也會(huì)降低,這意味著計(jì)算機(jī)性能將更加高效。芯片大小的挑戰(zhàn)芯片越小,制造過程就越復(fù)雜。在制造過程中,需要使用更加精細(xì)的設(shè)備和工藝,這也意味著制造成本將會(huì)更高。同時(shí),芯片的尺寸越小,芯片的散熱難度也會(huì)增加,這對(duì)于芯片的穩(wěn)定性和壽命也會(huì)產(chǎn)生一定的影響。目前最小的芯片目前,全球最小的芯片尺寸是2納米。這個(gè)芯片由美國(guó)IBM公司研制,采用了全新的納米制造技術(shù)。這個(gè)芯片的尺寸僅為目前普通芯片的1/10,同時(shí)功耗也降低了75%。這意味著,未來的計(jì)算機(jī)將更加高效、穩(wěn)定、節(jié)能。隨著科技的不斷發(fā)展,芯片尺寸也在不斷地縮小。芯片越小,計(jì)算機(jī)性能也將越強(qiáng),未來的計(jì)算機(jī)將更加高效、穩(wěn)定、節(jié)能。
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