經(jīng)歷漫長的下行周期之后，存儲芯片市場價格止跌，部分型號存儲芯片價格出現(xiàn)反彈。存儲芯片周期拐點何時到來？產(chǎn)業(yè)發(fā)展有何新趨勢？

11月8日，在深圳舉行的2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示：“下游整體需求正在緩步復(fù)蘇，其中AI（人工智能）服務(wù)器等領(lǐng)域的需求增長領(lǐng)先，各個下游領(lǐng)域整體需求將緩步回升到正增長軌道。未來5年到10年，人工智能會漸漸滲透到我們每個人的生活之中，帶來巨大的存儲芯片需求。”

多名接受《證券日報》記者采訪的業(yè)內(nèi)人士表示，縮小與海外原廠以及存儲模組頭部廠商的差距，加速技術(shù)突破、強化品牌建設(shè)是當前國內(nèi)存儲模組廠商的重要命題。在市場疲軟期，我國兆易創(chuàng)新、瀾起科技、時創(chuàng)意等一批存儲企業(yè)緊跟前沿技術(shù)發(fā)展趨勢，積極進行研發(fā)創(chuàng)新，豐富產(chǎn)品線，有利于把握產(chǎn)業(yè)周期拐點帶來的機遇，實現(xiàn)進一步發(fā)展。

“過山車”行情之后春天即將到來

存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業(yè)人士看到“曙光”。在2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫存為目標。目前實際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲?！?/p>

國家專精特新“小巨人”企業(yè)時創(chuàng)意董事長倪黃忠在接受《證券日報》記者采訪時表示：“近2年來，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過剩，2023年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號，存儲芯片春天即將到來?！?/p>

進入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM（移動動態(tài)隨機存取存儲器）合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13%至18%。NAND Flash（閃存存儲器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲芯片）、UFS（通用閃存存儲芯片）第四季合約價漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。

存儲賽道上市公司對周期的研判也備受關(guān)注。存儲芯片頭部企業(yè)兆易創(chuàng)新加大去庫存的力度，近幾個季度以來存貨呈逐步下降的趨勢。

近日，兆易創(chuàng)新在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：“大存儲在今年第三季度已經(jīng)達到了價格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間。”

設(shè)計封裝技術(shù)升級成發(fā)展趨勢

今年以來，人工智能浪潮席卷全球，催生新的市場需求的同時，對硬件設(shè)計、封裝制造等也提出了更高要求，存儲賽道企業(yè)面臨重新洗牌。

郭祚榮向《證券日報》記者表示：“原本主要由手機芯片占據(jù)先進工藝產(chǎn)線，將因人工智能芯片需求的崛起而發(fā)生變化，自研芯片或?qū)⑾駻SIC（專用集成電路）方向發(fā)展，我們每個人的生活也將因人工智能芯片逐步導(dǎo)入市場而發(fā)生巨大的變革?！?/p>

近一年來，時創(chuàng)意實現(xiàn)核心技術(shù)工藝突破，公司推出第二代Flip Chip先進封裝工藝，實現(xiàn)能耗更低、成本更低、穩(wěn)定性更高。公司積極布局UFS，目前已擁有UFS升級產(chǎn)線，自研自造的512GB UFS3.1產(chǎn)品在國內(nèi)率先實現(xiàn)量產(chǎn)。

倪黃忠向《證券日報》記者表示：“公司進入存儲芯片產(chǎn)業(yè)十年，在行業(yè)里還是較為年輕的公司，公司不斷從技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新、企業(yè)智能應(yīng)用、人才資源匯聚三個維度修煉內(nèi)功，今年以來研發(fā)投入力度加大，人才方面增加了100多名工程師，未來公司將在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域繼續(xù)研發(fā)創(chuàng)新，推動行業(yè)向前發(fā)展?！?/p>

今年以來，在行業(yè)低谷期，時創(chuàng)意快速完成了A、B兩輪戰(zhàn)略融資。5月份完成2.8億元戰(zhàn)略A輪融資，近日又宣布完成超3.4億元B輪融資，此輪融資由國內(nèi)消費電子領(lǐng)域頭部企業(yè)領(lǐng)投，資金將用于技術(shù)研發(fā)，擴產(chǎn)與流動資金補充等。

兆易創(chuàng)新前瞻性地識別高潛力產(chǎn)品方向，戰(zhàn)略性建立先發(fā)優(yōu)勢。持續(xù)完善產(chǎn)品線，升級產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。過去幾年兆易創(chuàng)新DRAM業(yè)務(wù)處于從無到有開展技術(shù)研發(fā)的過程，經(jīng)過努力DDR4實現(xiàn)量產(chǎn)。兆易創(chuàng)新方面表示：“DDR3在2023年基本完成功能驗證和客戶導(dǎo)入的工作，目前處于良率提升和起量爬坡階段，有望在2024年為公司貢獻更多營收。公司也在積極開展8GbDDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā)，希望補齊整個標準接口利基型DRAM產(chǎn)品線，有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。”

深科技近日在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：“bumping和FC工藝是進一步發(fā)展先進封裝的必要條件，目前公司bumping產(chǎn)線已經(jīng)完成工藝技術(shù)的準備以及生產(chǎn)管理系統(tǒng)的完善，并且產(chǎn)品良率已達到可以量產(chǎn)的水準。”