1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源轉型！

Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發(fā)產品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動市場涌現(xiàn)更多寬禁帶器件供應商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數(shù)性能均超越同類產品，例如高RDS(on)、良好的溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展?！?br/>三菱電機半導體與器件部功率器件業(yè)務高級總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業(yè)知識，我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。”
RDS(on)會影響傳導功率損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數(shù)。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術，實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。
Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實現(xiàn)更低的柵極驅動損耗。此外，Nexperia通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。 
除了正溫度系數(shù)外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。
Nexperia未來還計劃推出車規(guī)級MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已投入大批量生產。如果有需要采購國外知名品牌進口芯片的請聯(lián)系我司。