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TE泰科電子推出全新ERNI VOLTRON 1000V高壓傳感連接器
TEConnectivity (以下簡稱“TE”) 針對電動汽車電池架構(gòu)提升再上新品！
全新ERNI VOLTRON 1000V 高壓傳感連接器，專用于電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電池斷開單元 (BDU)，以測量整個電池架構(gòu)和生態(tài)系統(tǒng)的電壓。該連接器的設(shè)計特點(diǎn)、高 CTI 材料和接觸表面最大限度地提高了爬電距離，具備高達(dá)1000V的信號測量能力，增加了電池架構(gòu)中電壓的承載能力，且在5千米海拔高度下均有穩(wěn)定表現(xiàn)。
其他特性
小型化、薄型化，為緊湊型BMS的設(shè)計提供了更多自由空間
適合在嚴(yán)苛的外部環(huán)境和汽車標(biāo)準(zhǔn)下使用
應(yīng)用CTI 600 樹脂材料和鍍金表面接觸端子
在-55°C 至 150°C 溫度范圍內(nèi)可穩(wěn)定工作，UL 94 V-0 阻燃性
機(jī)械
振動強(qiáng)度 SG2 (LV214)
SMT 貼片焊接
沿用MaxiBridge 的壓接端子（符合LV214 和 SMBT 的標(biāo)準(zhǔn)）
一次與二次鎖定結(jié)構(gòu)
雙色編碼
電氣
工作電壓高達(dá)1000V
介電強(qiáng)度 2.500V (LV215) / 3.700V
端子額定電流高達(dá) 6A (0.35mm2)
500 次插拔
標(biāo)準(zhǔn)
LV214
LV215 (VW80332)
USCAR 37
認(rèn)證
108-94917 產(chǎn)品規(guī)格
108-94917-1 產(chǎn)品規(guī)格
114-94917 應(yīng)用規(guī)范
推薦產(chǎn)品+
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萊迪思與英偉達(dá)達(dá)成合作，旨在優(yōu)化傳感器與網(wǎng)絡(luò)邊緣AI計算應(yīng)用
萊迪思半導(dǎo)體在今日開發(fā)者大會上發(fā)布了一款全新的傳感器橋接參考設(shè)計，旨在快速開發(fā)NVIDIA Jetson Orin和IGX Orin平臺的網(wǎng)絡(luò)邊緣AI應(yīng)用。該開源參考板采用了萊迪思低功耗、低延遲FPGA和英偉達(dá)Orin平臺的集成解決方案，以滿足醫(yī)療保健、機(jī)器人和嵌入式視覺等高性能邊緣AI應(yīng)用程序?qū)B接各種傳感器和接口、設(shè)計可擴(kuò)展性和低延遲的需求。萊迪思與英偉達(dá)的合作旨在優(yōu)化傳感器與網(wǎng)絡(luò)邊緣AI計算應(yīng)用的連接，推動開源開發(fā)者社區(qū)的進(jìn)一步發(fā)展。萊迪思半導(dǎo)體首席戰(zhàn)略與營銷官Esam Elashmawi表示：“人工智能已成為制造、運(yùn)輸、通信和醫(yī)療器械等各個市場的重要技術(shù)，此次合作將促進(jìn)這一趨勢。我們很榮幸能夠與英偉達(dá)合作，共同推動解決方案的應(yīng)用范圍，為客戶和生態(tài)系統(tǒng)帶來更多創(chuàng)新，簡化和加速實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)邊緣AI應(yīng)用?！庇ミ_(dá)嵌入式AI產(chǎn)品管理總監(jiān)Amit Goel表示：“隨著對AI實時洞察和自主決策功能的需求增加，開發(fā)人員需要將各種傳感器連接到英偉達(dá)的邊緣計算平臺。與萊迪思的合作將推動傳感器處理領(lǐng)域的創(chuàng)新，有助于簡化從網(wǎng)絡(luò)邊緣到云端的AI應(yīng)用部署?！痹摶谌R迪思FPGA的開發(fā)板已針對搶先體驗客戶推出。萊迪思計劃在2024年上半年發(fā)布該開發(fā)板和應(yīng)用示例。此外，萊迪思半導(dǎo)體還推出了多款硬件和軟件解決方案，包括基于萊迪思Avant?中端平臺的兩款全新的創(chuàng)新中端FPGA系列產(chǎn)品——萊迪思Avant-G?和萊迪思Avant-X?，專為通用設(shè)計和高級互連。此外，還推出了針對人工智能、嵌入式視覺、安全和工廠自動化等領(lǐng)域的最新版本的專用解決方案，具備新的特性和功能，有助于客戶加速產(chǎn)品上市。此外，還發(fā)布了最新版本的軟件工具和Glance by Mirametrix?計算機(jī)視覺軟件，以幫助客戶提高產(chǎn)品上市速度。
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IGBT和MOS管怎么區(qū)分，IGBT和MOS管能互換嗎？
IGBT和MOS管怎么區(qū)分！IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的特點(diǎn)和區(qū)別。首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。通過在金屬柵上施加電壓來控制半導(dǎo)體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體管。它由一個MOSFET和一個雙極型晶體管接在一起，具有MOSFET的高輸入電阻和雙極型晶體管的高功率開關(guān)能力。一、結(jié)構(gòu)上的區(qū)別MOS管：MOS管由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。金屬柵用于控制半導(dǎo)體中的電流，氧化物絕緣層用于隔離金屬柵和半導(dǎo)體基底，避免電流泄漏。半導(dǎo)體基底主要負(fù)責(zé)電流的傳導(dǎo)。MOS管通常包括N溝或P溝兩種類型，其工作原理基于柵極電場調(diào)制半導(dǎo)體中的電子或空穴的濃度，進(jìn)而控制電流的流動。IGBT：IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管組成的混合式器件。它的柵結(jié)構(gòu)與MOS管相同，但其輸出特性類似于雙極型晶體管。與MOS管不同的是，IGBT的控制端和電流端都具有低電阻，可以實現(xiàn)高電壓、大電流的開關(guān)操作。二、工作原理的區(qū)別MOS管：MOS管的控制原理是通過改變控制電壓來控制柵極電場，使得柵極和源極之間的導(dǎo)電層形成或消失，從而控制電流的通斷。當(dāng)柵極電壓低于閾值時，導(dǎo)電層形成，電流可以流動；當(dāng)柵極電壓高于閾值時，導(dǎo)電層消失，電流無法通過。IGBT：IGBT通過MOSFET的控制電壓來控制MOSFET的柵電壓，進(jìn)而控制雙極型晶體管的導(dǎo)通和截止。通過調(diào)整控制電壓的大小，可以控制電流的通斷。IGBT的特點(diǎn)是具有低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通電壓丟失，且耐壓能力強(qiáng)。它在交流電驅(qū)動和高壓開關(guān)應(yīng)用中特別有用。三、性能特點(diǎn)的區(qū)別MOS管：MOS管具有響應(yīng)速度快、輸入電阻高、開關(guān)性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以實現(xiàn)較高的開關(guān)頻率。此外，由于其結(jié)構(gòu)簡單，制造工藝成熟，因此成本較低。IGBT：IGBT具有高速開關(guān)性能、高耐壓能力和低導(dǎo)通電壓丟失特性。它的輸出特性類似于雙極型晶體管，具有較高的導(dǎo)通電流和耐壓特性，適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。但相對于MOS管而言，IGBT具有較高的開關(guān)損耗和導(dǎo)通電壓丟失。綜上所述，IGBT和MOS管雖然在結(jié)構(gòu)和工作原理上有一些相似之處，但仍然存在一些顯著的區(qū)別。MOS管一般用于低功率應(yīng)用和高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT適用于高功率開關(guān)應(yīng)用。這兩種器件各有優(yōu)缺點(diǎn)，根據(jù)具體應(yīng)用的需求和性能要求選擇合適的器件非常重要。igbt和mos管能互換嗎IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是兩種常見的功率電子器件。盡管它們有一些相似之處，但在設(shè)計和使用上存在一些重要的區(qū)別，因此不能完全互換。下面是一個詳細(xì)的，2000字以上的文章，詳細(xì)介紹了IGBT和MOS管的特性、應(yīng)用和區(qū)別。在電力電子行業(yè)，IGBT和MOS管是常見的功率開關(guān)裝置，用于控制和調(diào)節(jié)高電壓、高電流電路中的能量流動。它們在各種應(yīng)用中都起著重要的作用，包括交流電機(jī)驅(qū)動、電源逆變器、電動汽車和工業(yè)自動化等。IGBT是一種可以實現(xiàn)功率放大功能的復(fù)合器件，結(jié)合了雙極性晶體管（bipolar junction transistor，BJT）和場效應(yīng)晶體管（field-effect transistor，F(xiàn)ET）的特性。它的結(jié)構(gòu)由一個PNPN四層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，內(nèi)部由一個N溝槽結(jié)構(gòu)嵌入。它既有MOS管低功耗的優(yōu)點(diǎn)，也有BJT低飽和壓降的優(yōu)點(diǎn)。IGBT的特性主要包括高輸入阻抗、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等。由于它具有較高的開關(guān)速度，可以在高頻率應(yīng)用中工作。它的輸入電流很小，控制電路的設(shè)計也相對簡單。因此，IGBT廣泛應(yīng)用于需要高電流和高電壓開關(guān)的場合，如電機(jī)驅(qū)動、靜態(tài)無干擾開關(guān)和電源逆變等。MOS管是一種三極型晶體管，結(jié)構(gòu)由一層絕緣層和兩個氧化物柵極之間的導(dǎo)電層構(gòu)成。當(dāng)柵源電壓(VGS)變化時，導(dǎo)電層中的電荷密度也發(fā)生變化，從而改變了漏極源極之間的電流。MOS管分為N型和P型兩種，分別用于負(fù)極性和正極性的應(yīng)用。MOS管的主要特點(diǎn)是低輸入電流、高輸入阻抗和低功耗等。由于它具有低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于低電壓和低功率開關(guān)電路中，如手機(jī)充電器、數(shù)碼產(chǎn)品、電源管理等領(lǐng)域。盡管IGBT和MOS管有一些相似之處，例如高輸入阻抗和高開關(guān)速度，但它們在設(shè)計和使用上有一些重要的區(qū)別。首先，IGBT具有較高的開關(guān)速度，適用于高頻率應(yīng)用，而MOS管適用于低功耗和低電壓的應(yīng)用。其次，IGBT的輸出阻抗較低，具有較高的開關(guān)能力，而MOS管的輸出阻抗較高，適用于驅(qū)動能力較小的應(yīng)用。IGBT主要應(yīng)用于需要高電流和高電壓開關(guān)的場合，如電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)自動化和電源逆變器等。MOS管則主要應(yīng)用于低功率和低電壓開關(guān)電路中，如數(shù)碼產(chǎn)品、低功耗電子設(shè)備和電源管理等。由于MOS管具有較低的導(dǎo)通壓降和功耗，更適合于需要長時間工作的應(yīng)用。綜上所述，IGBT和MOS管雖然都是常見的功率開關(guān)器件，但它們的特性和應(yīng)用有所不同，不能完全互換。IGBT適用于高電流和高電壓開關(guān)的場合，而MOS管適用于低功耗和低電壓的應(yīng)用。根據(jù)不同的設(shè)計需求和應(yīng)用場景，可以選擇合適的器件來實現(xiàn)所需的功能和性能。
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