6月28日，全球芯片代工“二哥”三星電子在美國舉辦“2023三星晶圓代工論壇”，公布了其AI時代下最新晶圓代工業(yè)務(wù)進展和技術(shù)路線圖。

“我們相信，基于GAA的先進制程技術(shù)，將為客戶在人工智能應(yīng)用方面的需求提供強大支持?！比请娮涌偛眉婢A代工業(yè)務(wù)負責(zé)人崔時榮稱，客戶正在積極開發(fā)AI專用芯片，三星電子將通過優(yōu)化人工智能芯片的GAA技術(shù)，引領(lǐng)人工智能技術(shù)模式的變化。

GAA即全環(huán)繞柵極（Gate All Around），用來取代此前先進制程上長期采用的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。GAA被稱為新一代半導(dǎo)體的核心制程技術(shù)，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度、電力效率和晶體管性能。IBM曾在2021年宣布成功研制出全球首款2納米芯片，該款芯片已率先采用GAA技術(shù)，但其并未改變此后芯片制造領(lǐng)域的競爭格局。臺積電則計劃在2025年量產(chǎn)的2納米工藝中應(yīng)用GAA技術(shù)。

在GAA技術(shù)進展上，三星電子去年6月宣布實現(xiàn)基于GAA技術(shù)的3納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)，并稱將于2025年起量產(chǎn)基于GAA技術(shù)的2納米工藝半導(dǎo)體。此次晶圓代工論壇上，三星提出2納米工藝具體量產(chǎn)時間表，即自2025年起首先于移動終端量產(chǎn)該工藝，隨后在2026年將2納米工藝適用于高性能計算（HPC）產(chǎn)品，并于2027年擴至車用芯片。

先進工藝外，三星還透露了第三代半導(dǎo)體和通訊器件的業(yè)務(wù)及進展。自2025年起，三星將為消費、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用提供8英寸GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。此外，基于5納米工藝的RF（射頻）產(chǎn)品處于開發(fā)階段，預(yù)計2025年上半年開發(fā)完成，目標是保持6G的技術(shù)先進性。相較此前的14納米工藝，5納米RF工藝功效提高40%，面積減少50%，目前量產(chǎn)中的8納米和14納米RF將擴展到移動、汽車等市場。

產(chǎn)能方面，三星計劃于韓國量產(chǎn)應(yīng)用于移動領(lǐng)域的晶圓代工產(chǎn)品，并更多集中在平澤P3工廠；位于美國泰勒的新晶圓廠預(yù)計于今年底前竣工，2024年下半年內(nèi)投產(chǎn)。同時，三星計劃在2030年后將韓國的生產(chǎn)基地擴展到龍仁，以支持下一代晶圓代工服務(wù)。通過以上措施，其預(yù)計在2027年將半導(dǎo)體生產(chǎn)能力提升至2021年的7.3倍。

值得注意的是，三星還大幅加碼先進芯片封裝技術(shù)，宣布成立先進封裝協(xié)商機制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。據(jù)三星介紹，該同盟將構(gòu)建基于2.5D、3D異構(gòu)集成小芯片封裝技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)，與合作伙伴一起提供一站式封裝測試服務(wù)，滿足HPC和車用芯片定制化需求。三星稱，正與10個封測合作伙伴共同開發(fā)2.5D/3D封裝設(shè)計解決方案。

在芯片代工市場，三星正加緊追趕臺積電，并防范來自英特爾的挑戰(zhàn)。受宏觀經(jīng)濟“逆風(fēng)”、消費電子疲軟等因素影響，全球半導(dǎo)體行業(yè)自2022年開始轉(zhuǎn)入下行周期，但隨著人工智能熱潮推動，對于先進芯片的需求仍然有望保持增長。

三星是全球第二大晶圓代工廠商。2023年第一季度，三星電子營收63.75萬億韓元（約合486.86億美元），同比減少18.04%。其中，除存儲芯片外的其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收為4.81萬億韓元（約合36.72億美元），較2022年同期下滑29.05%。臺積電該季度實現(xiàn)營收5086.33億新臺幣，同比增長3.6%。

行業(yè)分析機構(gòu)集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年第一季度，三星在全球晶圓代工市場的占有率為12.4%。臺積電穩(wěn)居第一，份額高達60.1%；聯(lián)電、格芯、中芯國際分別以6.6%、6.4%和5.3%的占有率位居第三至第五。