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FPGA配置用存儲(chǔ)器和普通存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？
FPGA配置用存儲(chǔ)器和普通存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？
FPGA（Field Programmable Gate Array）芯片的配置過(guò)程，需要使用存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)配置文件。但是，F(xiàn)PGA配置用存儲(chǔ)器和普通存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？
一、存儲(chǔ)器的類型
FPGA配置用存儲(chǔ)器有三種類型：PROM、EEPROM和Flash。其中，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器是目前最常用的一種。
二、存儲(chǔ)器的容量
FPGA配置文件通常非常大，因此需要使用高容量的存儲(chǔ)器。普通存儲(chǔ)器的容量通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，而FPGA配置用存儲(chǔ)器可以提供更大的存儲(chǔ)空間。
三、存儲(chǔ)器的速度
FPGA配置用存儲(chǔ)器的速度相對(duì)較慢，因?yàn)樗鼈冎恍枰谂渲眠^(guò)程中使用一次。相比之下，普通存儲(chǔ)器需要經(jīng)常讀寫，因此需要更快的速度。
四、存儲(chǔ)器的耐久性
FPGA配置用存儲(chǔ)器需要具備高度的耐久性，因?yàn)樗鼈冃枰?jīng)常進(jìn)行配置。相比之下，普通存儲(chǔ)器通常不需要經(jīng)常進(jìn)行讀寫操作，因此需要的耐久性相對(duì)較低。
FPGA配置用存儲(chǔ)器和普通存儲(chǔ)器在類型、容量、速度和耐久性等方面都存在差異。因此，在FPGA配置過(guò)程中，需要選擇適合的存儲(chǔ)器類型，并注意其性能和耐久性。
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振動(dòng)傳感器的類型和選擇原則！
振動(dòng)傳感器的類型和選擇原則振動(dòng)傳感器是一種用于測(cè)量物體振動(dòng)和震動(dòng)的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于工程、機(jī)械、航空航天等領(lǐng)域。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，振動(dòng)傳感器有多種類型和選擇原則。一、加速度傳感器加速度傳感器是最常見的振動(dòng)傳感器之一。它能夠測(cè)量物體在某一方向上的加速度變化，通過(guò)對(duì)加速度信號(hào)進(jìn)行處理，可以獲得物體的振動(dòng)狀態(tài)。加速度傳感器具有靈敏度高、頻率范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種振動(dòng)測(cè)量場(chǎng)景。二、速度傳感器速度傳感器是另一種常見的振動(dòng)傳感器類型。它主要用于測(cè)量物體在某一方向上的速度變化，從而間接獲得物體的振動(dòng)情況。速度傳感器適用于低頻振動(dòng)測(cè)量，具有較高的精度和穩(wěn)定性。三、位移傳感器位移傳感器是用于測(cè)量物體在某一方向上的位移變化的設(shè)備。它可以直接獲取物體的振動(dòng)位移信息，適用于高精度振動(dòng)測(cè)量場(chǎng)景。位移傳感器的主要優(yōu)點(diǎn)是測(cè)量范圍大、精度高，但價(jià)格相對(duì)較高。四、壓電傳感器壓電傳感器是一種特殊的振動(dòng)傳感器，它利用壓電效應(yīng)將機(jī)械振動(dòng)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。壓電傳感器具有高靈敏度、寬頻率范圍等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于振動(dòng)測(cè)量和控制領(lǐng)域。選擇振動(dòng)傳感器的原則主要包括以下幾點(diǎn)：1. 測(cè)量要求：根據(jù)實(shí)際需求確定需要測(cè)量的振動(dòng)類型（加速度、速度、位移等）和測(cè)量范圍（頻率、幅值等）。2. 環(huán)境適應(yīng)性：考慮振動(dòng)傳感器所處的環(huán)境條件，如溫度、濕度、腐蝕性等，選擇適合的防護(hù)等級(jí)和材料。3. 精度和靈敏度：根據(jù)測(cè)量的要求確定需要的傳感器精度和靈敏度，以保證測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。4. 可靠性和穩(wěn)定性：選擇具有高可靠性和穩(wěn)定性的傳感器，能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作，并且在惡劣環(huán)境下不易受到損壞。5. 成本效益：綜合考慮傳感器的價(jià)格、性能、可靠性等因素，選擇性價(jià)比較高的產(chǎn)品。振動(dòng)傳感器的類型和選擇原則是根據(jù)實(shí)際需求確定測(cè)量類型和范圍，考慮環(huán)境適應(yīng)性，選擇精度和靈敏度合適的傳感器，并綜合考慮可靠性和成本效益。通過(guò)合理選擇和使用振動(dòng)傳感器，可以有效實(shí)現(xiàn)對(duì)物體振動(dòng)狀態(tài)的監(jiān)測(cè)和控制。
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)專題報(bào)告：存儲(chǔ)行業(yè)基礎(chǔ)薄弱，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的現(xiàn)狀半導(dǎo)體按照產(chǎn)品可分為分離器件、光電子、傳感器和集成電路等四大類。占半導(dǎo)體價(jià)值 量比例最高的為集成電路，集成電路主要包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲(chǔ)器芯片等四種。根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，分離器件占比 5%，光 電子占比8%，傳感器占比3%，集成電路占比達(dá)83%。再具體細(xì)分，存儲(chǔ)器芯片占比28%、 邏輯芯片占比 28%、微處理器芯片占比 14%、模擬芯片占比 13%。因此，可以看出在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中存儲(chǔ)器芯片和邏輯芯片貢獻(xiàn)的價(jià)值量最大。預(yù)計(jì) 2023 年全球半導(dǎo)體規(guī)模達(dá) 5566 億美元，存儲(chǔ)芯片占比為 20%。存儲(chǔ)芯片又稱半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是 現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。從歷史數(shù)據(jù)來(lái)看，存儲(chǔ)芯片行業(yè)規(guī)模占全球半導(dǎo)體行業(yè)規(guī) 模的 1/4-1/3.WSTS 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 5558.9 億美元，其中存 儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為 1538.4 億美元，占半導(dǎo)體行業(yè)銷售額的 28%，預(yù)計(jì) 22、23 年占比分 別為 23%和 20%。1.2 存儲(chǔ)引領(lǐng)兩次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遷移從 20 世紀(jì) 70 年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)形成規(guī)模以來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已完成兩次大的產(chǎn) 業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是 70-80 年代，日本借助在工業(yè)級(jí) PC DRAM 上的高質(zhì)量、技術(shù)領(lǐng)先和 批量化生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)的趕超，1980-1986 期間，美國(guó)半導(dǎo)體市占率從 61%降至 43%，而日本由 26%提升至 44%，DRAM 領(lǐng)域市占率高達(dá) 80%，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美國(guó)向日 本轉(zhuǎn)移，并成就了東芝、松下、日立等代表性廠商;第二次是 80-90 年代，由于美國(guó)的壓 制和經(jīng)濟(jì)泡沫破滅，日本半導(dǎo)體嚴(yán)重受挫，疊加韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣受到美國(guó)的技術(shù)支持，韓 國(guó)通過(guò)引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新，憑借家用 PC 的興起、DRAM 的高速研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)， 借機(jī)超越日本成為了 DRAM 領(lǐng)域的后期新秀，而臺(tái)灣則專注晶圓代工和封測(cè)，成為垂直 領(lǐng)域的霸主，至 90 年代中期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成從日本向韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的轉(zhuǎn)移。“ 舉國(guó)體制+產(chǎn)學(xué)研技術(shù)攻關(guān)+低價(jià)優(yōu)質(zhì)策略”助力日本擊敗美國(guó)成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域霸 主。1971 年 NEC 公司推出日本首個(gè) 1k DRAM 芯片，但彼時(shí)美國(guó)已進(jìn)入 VLSI 時(shí)代，日 本仍停留在 LSI 時(shí)代，技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)品性能與美國(guó)有較大差距。同時(shí)工業(yè)大型機(jī)的興起， 市場(chǎng)對(duì)工業(yè) PC DRAM 需求不斷增加，為攻破技術(shù)壁壘，1976 年由日本通產(chǎn)省牽頭，以 日立(Hitachi)、三菱(Mitsubishi)、富士通(Fujitsu)、東芝(Toshiba)、NEC 五 大公司作為骨干，聯(lián)合通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(EIL)、日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合 研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所，組建“VLSI 聯(lián)合研發(fā)體”，投資 720 億日元(其中日本政府 出資 320 億日元)，攻堅(jiān)超大規(guī)模集成電路 DRAM 的技術(shù)難關(guān)。1980 年，日本 VLSI 聯(lián) 合研發(fā)體宣告完成為期四年的“VLSI”項(xiàng)目，研發(fā)的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采 用紫外線、X 射線、電子束的各型制版裝置、干式蝕刻裝置等，各企業(yè)的技術(shù)整合，保證 了 DRAM 量產(chǎn)良率高達(dá) 80%，遠(yuǎn)超美國(guó)的 50%，構(gòu)成了壓倒性的總體成本優(yōu)勢(shì)。從 1980 至 1986 年，美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)從 61%下降到 43%，而日本由 26%上升至 44%，奠定了當(dāng) 時(shí)日本在 DRAM 市場(chǎng)的霸主地位。韓國(guó)乘家用 PC 興起的東風(fēng)，憑借對(duì) DRAM 的高速研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，從仿制、研 發(fā)走向自主創(chuàng)新，超越日本成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的后期新秀。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起基于 兩點(diǎn)：一方面，學(xué)習(xí)能力較強(qiáng)的韓國(guó)企業(yè)在政府和財(cái)團(tuán)的大力幫助秉承高速研發(fā)的勢(shì)頭在 DRAM 領(lǐng)域不斷革新。另一方面韓國(guó)企業(yè)在投資、結(jié)構(gòu)、技術(shù)方面均有一定優(yōu)勢(shì)，并借 助大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步擴(kuò)大自己的市場(chǎng)份額，特別是在三星電子的關(guān)于“DRAM 雙向型數(shù)據(jù)通選方案”得到美國(guó)半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)的認(rèn)可，其 DRAM 成為與 MPU 匹配的對(duì)象，韓 國(guó) IC 產(chǎn)品遍及世界的序幕至此拉開。此后，韓國(guó) IC 產(chǎn)業(yè)從“一枝獨(dú)秀”的 DRAM 存儲(chǔ)器 成功衍生向多點(diǎn)開花的非 MEMORY 領(lǐng)域。 1993 年，美國(guó)以 43%的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)份額奪回了第一的位置，日本以 40%的份額位居 第二。與此同時(shí)，韓國(guó)和臺(tái)灣制造商開始擴(kuò)大向客戶供貨的能力，并逐漸成為全球性半導(dǎo) 體公司。1994 年，韓國(guó)和臺(tái)灣總共占有全球市場(chǎng)的 10%，相當(dāng)于歐洲市場(chǎng)的份額。到上 世紀(jì) 90 年代末，由于美國(guó)的成功以及韓國(guó)和臺(tái)灣制造商的崛起，日本制造商的份額下降 到了 28%。至 1998 年，當(dāng)日本和美國(guó)制造商在 DRAM 市場(chǎng)苦苦掙扎時(shí)，韓國(guó)制造商在 DRAM 領(lǐng)域大力推動(dòng)工廠和設(shè)備的開發(fā)和投資，在 1998 年超過(guò)了日本，從而占據(jù)主導(dǎo)地 位。 臺(tái)灣集成電路發(fā)展之路發(fā)跡于封裝環(huán)節(jié)，另辟蹊徑，從代工起步，謀求在全球芯片中的 一席之地。在晶圓代工業(yè)的推進(jìn)下，形成設(shè)計(jì)、掩膜制版、芯片制作、封裝、測(cè)試等環(huán)節(jié) 在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)集群。新竹園區(qū)內(nèi)的一些重要 IC 企業(yè)在分工趨勢(shì)的引導(dǎo)下，專注于 IC 設(shè)計(jì)， 例如茂矽、矽統(tǒng)等?？v觀這兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的過(guò)程，可以發(fā)現(xiàn)其共同點(diǎn)都是從存儲(chǔ)業(yè)務(wù)開始，即日本、韓國(guó)均是 從存儲(chǔ)切入逐漸做大做強(qiáng)，并帶動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的完善。當(dāng)前隨著中國(guó)大陸的崛起，全球半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)行第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國(guó)擁有雄厚的資金、政策、技術(shù)(人才)、產(chǎn)業(yè)集 群效應(yīng)強(qiáng)大等優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移地，而從存儲(chǔ)領(lǐng)域切入有望加速突 破。1.3 我國(guó)半導(dǎo)體及存儲(chǔ)行業(yè)基礎(chǔ)薄弱，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大根據(jù) Mckinsey & Company 的數(shù)據(jù)，2030 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò) 1 萬(wàn)億美元。其 中汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將從 2021 年的 500 億美元成長(zhǎng)到 2030 年的 1500 億美元， 2021-2030 年車用半導(dǎo)體復(fù)合增長(zhǎng)率在所有細(xì)分領(lǐng)域中排名第一，CAGR 達(dá) 13%。工業(yè) 半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模將從 2021 年的 600 億美元成長(zhǎng)到 2030 年的 1300 億美元，2021-2030 年 CAGR 達(dá) 9%，而通信及消費(fèi)電子的占比將持續(xù)下降。中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)量全球占比約 53%，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自給率僅為 17.5%。IBS 數(shù)據(jù)顯示， 2019 年中國(guó)消費(fèi)半導(dǎo)體約占全球總量的 53%，預(yù)計(jì)到 2030 年，這一比例將提升到 58% 左右。從消費(fèi)結(jié)構(gòu)上看，2006 年中國(guó)消費(fèi)的半導(dǎo)體中中國(guó)企業(yè)消費(fèi)占比約為 11.5%，消 費(fèi)領(lǐng)域主要為個(gè)人電腦，其他均是用于出口;到 2019 年，中國(guó)企業(yè)的消費(fèi)率提升至為 43%， 主要領(lǐng)域?yàn)橹悄苁謾C(jī)、數(shù)據(jù)中心和汽車等，預(yù)計(jì) 2030 年，中國(guó)消費(fèi)的半導(dǎo)體中，中國(guó)企 業(yè)消費(fèi)比例將提升到 69%。但從半導(dǎo)體供應(yīng)鏈來(lái)看，截至到 2020 年中國(guó)半導(dǎo)體自給率僅 為 17.5%，預(yù)計(jì)到 2030 年這一比例能提升至 40%，即仍有 60%的半導(dǎo)體需要進(jìn)口，國(guó) 產(chǎn)替代空間巨大。中國(guó)大陸以及香港存儲(chǔ)廠商多而不強(qiáng)，國(guó)產(chǎn)廠商具備做大做強(qiáng)的機(jī)遇。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)， 2021 年全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈擁有超過(guò) 185 家廠商，廠商數(shù)量按區(qū)域來(lái)劃分，北美占比最 高為 38%，其次是中國(guó)大陸及香港占比 22%、中國(guó)臺(tái)灣占比 21%、EMEA(中東、非洲 以及歐洲)占比 9%、日本占比 6%、韓國(guó)占比 3%。中國(guó)存儲(chǔ)廠商在營(yíng)收上的潛在成長(zhǎng)空間巨大。從全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，即便中國(guó)大 陸、香港以及中國(guó)臺(tái)灣在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上的廠商數(shù)量占比接近 45%，但是總體營(yíng)收規(guī) 模仍然相對(duì)較小。除中國(guó)臺(tái)灣廠商南亞科占據(jù)接近 2%的市場(chǎng)份額外，其他存儲(chǔ)廠商占比 不足 2%，與海外的龍頭存儲(chǔ)廠商三星(39%)、海力士(22%)、美光(18%)等差距 較大。目前，國(guó)內(nèi)在存儲(chǔ) IDM、存儲(chǔ) Fabless、晶圓代工、主控芯片、封裝測(cè)試、模組等 全產(chǎn)業(yè)鏈上均有廠商布局。根據(jù) UNIM internal 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2030 年中國(guó)廠商將會(huì)成為 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上不可忽視的重要力量。盡管我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體的需求及其市場(chǎng)規(guī)模日益增長(zhǎng)，但我國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)基礎(chǔ)依舊相對(duì)薄弱。隨 著大陸市場(chǎng)的崛起，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)行第三次轉(zhuǎn)移，中國(guó)旺盛的市場(chǎng)需求、政策、 技術(shù)(人才)、產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)強(qiáng)大等優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移地，而從存 儲(chǔ)領(lǐng)域切入有望加速突破。 旺盛的市場(chǎng)需求：隨著大數(shù)據(jù)逐漸發(fā)展，行業(yè)數(shù)據(jù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，機(jī)器所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量在 2018 年首次超越人類所創(chuàng)造的數(shù)據(jù)量。企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)的需求日益增長(zhǎng)。2021 年全球大 數(shù)據(jù)儲(chǔ)量已達(dá)到 54ZB，是 2017 年儲(chǔ)量的兩倍，預(yù)計(jì)在 2021 年將到達(dá) 61ZB。全球大數(shù) 據(jù)儲(chǔ)量的增長(zhǎng)，也反映了全球信息行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)的需求快速上升，2022 年全球大數(shù)據(jù) 市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá) 718 億美元。政策強(qiáng)力扶持：2014 年國(guó)務(wù)院頒布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出設(shè)立國(guó) 家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(簡(jiǎn)稱“大基金”)，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國(guó)家戰(zhàn)略高度。 在核心基礎(chǔ)零部件方面。隨后幾年，從國(guó)家到地方層面持續(xù)推出各類政策支持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在技術(shù)層面，國(guó)內(nèi)廠商加速追趕。近年來(lái)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) 突破，逐步縮小與國(guó)外原廠的差距。其中，兆易創(chuàng)新位列 NOR Flash 市場(chǎng)前三，聚辰股 份在 EEPROM 芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長(zhǎng)江存儲(chǔ) 128 層 3D NAND 存儲(chǔ)芯片，直接跳 過(guò) 96 層，加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。經(jīng)過(guò)十幾年的技術(shù)積累，目前中國(guó)已基本形成完整的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈條，在存儲(chǔ) IDM、Fabless、 晶圓代工、封裝測(cè)試、模組、材料和設(shè)備上都有國(guó)內(nèi)廠商布局，并形成了長(zhǎng)三角、珠三角、 京津環(huán)渤海與中西部四大主要產(chǎn)業(yè)聚落，產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)強(qiáng)大，進(jìn)一步提高了區(qū)域生產(chǎn)效率 和加深區(qū)內(nèi)生產(chǎn)的分工和協(xié)作。同時(shí)，我國(guó)本土電子產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)迅速，已成為電子產(chǎn)品生產(chǎn) 制造大國(guó)，本土芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的技術(shù)能力和市場(chǎng)能力迅速發(fā)展壯大。根據(jù) ICCAD 的數(shù)據(jù)， 2021 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司數(shù)量達(dá)到 2810 家，同比增長(zhǎng) 26.7%。2015-2021 年期 間，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額的年增速在 15%以上?？傮w來(lái)看，我們認(rèn)為無(wú)論從經(jīng)濟(jì)技 術(shù)層面或是國(guó)家發(fā)展半導(dǎo)體的決心的角度，我國(guó)通過(guò)切入存儲(chǔ)成為半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)的趨勢(shì)勢(shì)不 可擋。二、DRAM 和 Flash 是大廠存儲(chǔ)技術(shù)爭(zhēng)奪的主戰(zhàn)場(chǎng)2.1 DRAM 與 Flash 是市場(chǎng)主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器從易失性角度分為隨機(jī)存儲(chǔ)器 RAM 和只讀存儲(chǔ)器 ROM 兩種。隨機(jī)存儲(chǔ)器 RAM 在斷電后無(wú)法保存數(shù)據(jù)，主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。ROA 也被稱為主存和只 讀內(nèi)存，它只能讀出事先所存數(shù)據(jù)，而不能像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速、方便的改寫，但具 有隨時(shí)讀寫、速度快的特性，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 媒介。目前市場(chǎng)主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))、NAND Flash 和 NOR Flash。 DRAM 集成度高、價(jià)格便宜、功耗低、存取速度慢。DRAM 被稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)，它通 過(guò)不斷地刷新電路來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的保存，從存儲(chǔ)能力來(lái)說(shuō)，DRAM 所能提供的存儲(chǔ)容量更 大，訪問時(shí)間較長(zhǎng)，但由于不斷刷新電路也導(dǎo)致其功耗較高，速度較慢，且每個(gè)芯片有 1 個(gè)晶體管和一個(gè)電容。 Flash 可分為 NOR Flash 和 NAND Flash 兩大類：NAND 容量大、單位容量成本低，NOR 讀取速度快、可靠性高、擦除速度快。NOR Flash 以編碼應(yīng)用為主，其功能多于運(yùn)算相 關(guān)，主要應(yīng)用場(chǎng)景為各移動(dòng)端/車機(jī)端的系統(tǒng)中，而 NAND Flash 主要功能是存儲(chǔ)資料， 多應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)采用的 DOC 及閃盤。相對(duì)于 NAND Flash，NOR Flash 的優(yōu)勢(shì)在于 其讀取速度較快。預(yù)計(jì) 2023 年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 1116 億美元，21 年 DRAM 和 NAND Flash 合計(jì)占據(jù)超 97%的市場(chǎng)份額。受下游需求萎靡的影響，WSTS 預(yù)測(cè) 2023 年全球存儲(chǔ)器 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 1116 億美元，同比下滑 17%。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上看，根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)， DRAM 銷售額在 2021 年約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的 56%，閃存的比重約達(dá)到 43%，其中 NAND 閃存為 41%，NOR 閃存為 2%，其他存儲(chǔ)芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM) 將會(huì)緩慢成長(zhǎng)，但大幅搶占市場(chǎng)的可能性較小。2021 年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模超 3300 億元。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2014-2021 年中 國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模由 1274 億元成長(zhǎng)至 3383 億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 15%。從產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)上看，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，2020 年中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)中 DRAM 占比為 53%， NAND 占比為 42%，NOR 占比為 3%，整體 DRAM 與 Flash 合計(jì)占比達(dá) 98%。2.2 2024 年 NAND 市場(chǎng)規(guī)模超 680 億美元，市場(chǎng)集中度較高，3D 堆疊成為長(zhǎng)期技術(shù)趨 勢(shì)從收入端看，受下游需求萎靡的影響，NAND 的市場(chǎng)規(guī)模在 2022 和 2023 年連續(xù)兩年保 持下修，2023 年 NAND 的市場(chǎng)規(guī)模將下滑到 527 億美元，同比減少 14%。隨著 NAND 原廠陸續(xù)縮減資本開支，NAND 產(chǎn)能正在逐漸收斂，庫(kù)存去化正在進(jìn)行。我們看好原廠和 渠道的庫(kù)存水位或在 2023 年 Q2 或 Q3 見頂，NAND 價(jià)格出現(xiàn)彈性，2024 年 NAND 市 場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2024 年全球 NAND 芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 684 億 美元，同比增長(zhǎng) 29.7%，接近 2021 年的水平。 從消費(fèi)量和 ASP 看，受益于手機(jī)和服務(wù)器單機(jī)搭載容量的成長(zhǎng)，全球 NAND 出貨量保持 強(qiáng)勁增長(zhǎng)。以 8GB 等價(jià)計(jì)算，2023 年 NAND 出貨量有望達(dá) 8954 億顆，同比增加 21%。 2024 年 NAND 出貨量有望繼續(xù)成長(zhǎng) 26%，達(dá) 11280 億顆。NAND 芯片單價(jià)在 2021-2023 年將持續(xù)下跌，預(yù)計(jì) 2023 年以 8GB 計(jì)算的 ASP 為 0.059 美元，同比將下滑 28%。預(yù)計(jì) 24 年 NAND 芯片的 ASP 將小幅成長(zhǎng) 3%，達(dá) 0.061 美元。東芝(鎧俠前身)發(fā)明了世界第一塊 NAND 芯片，首次定義閃存概念，隨后三十年 NAND 行業(yè)經(jīng)歷多輪收并購(gòu)洗牌。1992 年?yáng)|芝將 NAND Flash 授權(quán)給三星，隨后三星開始自研 NAND 芯片持續(xù)至今;2001 年?yáng)|芝在連年虧損下將 DRAM 業(yè)務(wù)出售給美光，開始專注 NAND 業(yè)務(wù)，2018 年?yáng)|芝將存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)出售給貝恩資本領(lǐng)銜的財(cái)團(tuán)，隨后于 2019 年改 名為鎧俠;2016 年 WDC 以 190 億美元的價(jià)格收購(gòu) SanDisk;2020 年海力士收購(gòu)英特爾 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)，至此 NAND 行業(yè)形成了三星、海力士、Solidigm、美光、鎧俠、WDC 六家公司同臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)的格局，2022Q3 的 CR6 超過(guò) 95%。目前 NAND 行業(yè)集中度整體較高，目前 CR3 市場(chǎng)份額達(dá) 65%，CR6 市場(chǎng)份額接近 95%。 從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)上看，根據(jù) Statista 和 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，短期內(nèi) NAND 行業(yè)市場(chǎng)入局廠 商增多，行業(yè)集中度有所下降但總體仍較高，2010Q1-2022Q3 NAND 行業(yè) CR3 從 85% 下降到 65%。前三大廠商分別為三星、鎧俠和海力士，2022Q3 市場(chǎng)份額分別為 31.4%、 20.6%和 13.0%，三家合計(jì)占比 65.0%。隨著海力士收購(gòu)英特爾的閃存和 SSD 業(yè)務(wù)，以 及 WDC 重啟與鎧俠的合并談判，我們預(yù)計(jì)未來(lái)行業(yè)集中度將進(jìn)一步提高。NAND Flash 依據(jù)閃存顆粒存儲(chǔ)密度可分為 SLC、MLC、TLC 和 QLC 等四大類。不同 型號(hào)間的主要區(qū)別在于成本、容量和耐用性。容量取決于每單元可以存儲(chǔ)的信息量，耐久 性取決于閃存擦寫壽命(P/E Cycle)。最初問世的 SLC NAND 設(shè)計(jì)架構(gòu)，每個(gè) Cell 單 元存儲(chǔ) 1bit 信息，只有 0、1 兩種電壓變化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電壓控制快速，其特點(diǎn)即壽命長(zhǎng)， 性能強(qiáng)，擦寫壽命可達(dá) 10 萬(wàn)次。之后依次問世的 MLC、TLC 和 QLC,每個(gè) Cell 存儲(chǔ)的信 息依次遞增，電壓變化隨存儲(chǔ)信息增加呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，但相應(yīng)的 P/E 壽命隨之減少。由 于每 Cell 單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但同時(shí)導(dǎo)致不的電壓狀態(tài)越多，越 難控制，所以導(dǎo)致顆粒穩(wěn)定性越差，壽命低，各有利弊。相對(duì)于 SLC 來(lái)說(shuō)，MLC 的容量 大了 100%，壽命縮短為 SLC 的 1/10.相對(duì)于 MLC 來(lái)說(shuō)，TLC 的容量大了 50%，壽命 縮短為 SLC 的 1/20.目前 SLC 為企業(yè)級(jí)服務(wù)器專用閃存顆粒， TLC 已為主流存儲(chǔ)顆粒，QLC 則是未來(lái)發(fā)展 趨勢(shì)。這四類閃存顆粒中，SLC 的性能最優(yōu)，價(jià)格最高，一般用作對(duì)于可靠性、穩(wěn)定性 和耐用性有極高要求的工業(yè)控制、航天軍工、通信設(shè)備等企業(yè)級(jí)客戶;MLC 性能夠用， 穩(wěn)定性比較好，價(jià)格適中，為工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí) SSD 應(yīng)用主流;TLC 是目前消費(fèi)級(jí) SSD 的主流，價(jià)格便宜，但可以通過(guò)高性能主控、主控算法來(lái)彌補(bǔ)、提高 TLC 閃存的性能; QLC 目標(biāo)是更大容量和更低成本，代表未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 23Q4.QLC 的占比將成長(zhǎng)到 17%，PLC 則會(huì)有少量出貨。3D NAND 解決了 2D 結(jié)構(gòu)下“閃存縮放限制”的問題。存儲(chǔ)單元尺寸、高性能和低功耗一 直是存儲(chǔ)器業(yè)者持續(xù)追求的目標(biāo)。越小的尺寸讓每片晶圓可生產(chǎn)更多的 die，高性能能滿 足高速運(yùn)算的需求，低耗電則能改善行動(dòng)裝置電池充電頻率及數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)散熱的問題。 從歷史上來(lái)看，存儲(chǔ)器的密度是通過(guò)縮小單元格尺寸和間距來(lái)增加的。如果單元格的尺寸 和間距減小一半，那么同一區(qū)域結(jié)構(gòu)可以容納四倍的單元格。但受制于工藝的限制，閃存 單元格的參數(shù)只能縮小到一定的尺寸規(guī)模，使用傳統(tǒng)的光刻密集模式的持續(xù)擴(kuò)展也變得極 為昂貴，而芯片工藝的每一次提升帶來(lái)的不僅是元件尺寸的縮小，同時(shí)也帶來(lái)性能的增強(qiáng) 和功耗的降低，即存在閃存的縮放限制。無(wú)論是 SLC NAND 還是其他三種 NAND 均存在 “閃存的縮放限制”，為了打破“閃存的縮放限制”枷鎖，提供高容量、低成本的 NAND Flash， 行業(yè)內(nèi)研發(fā)了多種解決方案，其中最主要的為 3D NAND，即將存儲(chǔ)單元立體化，在二維 平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列。大容量、高堆疊層數(shù)的 3D NAND 將是行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。平面 NAND 由有存儲(chǔ)單元的 水平串組成，而在 3D NAND 中，存儲(chǔ)單元串被拉伸，折疊并以 U 形結(jié)構(gòu)垂直豎立，單 元以垂直方式堆疊來(lái)縮放密度。3D NAND 存儲(chǔ)單元類似一個(gè)微小的圓柱狀結(jié)構(gòu)，微小單 元由中間的垂直通道組成，中間是結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電荷層，通過(guò)施加電壓，電子被帶入絕緣電 荷存儲(chǔ)膜中和從中取出，信號(hào)就被讀取。以三星為例，由浮動(dòng)?xùn)沤Y(jié)構(gòu) (Floating Gate) 遷 移至電荷擷取閃存(2D CTF)，將 2D CTF 存儲(chǔ)單元 3D 化變成 3D CTF 存儲(chǔ)單元，最 后通過(guò)工藝技術(shù)提升逐漸往上增加存儲(chǔ)單元的層數(shù)。未來(lái)大容量、高堆疊層數(shù)的 3D NAND 將是行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。美光是目前主要產(chǎn)能制程最高的公司，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND工藝已逐步趕上國(guó)際領(lǐng)先水平。 根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，從各廠商的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)來(lái)看，美光從 2022 年上半年開始逐漸將 產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 176 層，目前大部分產(chǎn)能都已轉(zhuǎn)進(jìn) 176 層，在工藝上領(lǐng)先其他廠商，其余廠商 大多停留在 128 層附近。三星和海力士從 2022 年下半年開始將產(chǎn)能逐漸向更高的 176 層轉(zhuǎn)移。而鎧俠和WDC的聯(lián)盟目前產(chǎn)能主力落在112層，Solidigm繼承自英特爾的工藝， 產(chǎn)能主力落在 144 層。展望 2023 年，我們認(rèn)為美光是最早將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn) 232 層的廠商，三 星和海力士預(yù)計(jì)將在第二季度逐步轉(zhuǎn)進(jìn) 200 層以上的工藝。Solidigm 以及鎧俠和 WDC 的聯(lián)盟都將停留在 200 層以下的工藝，落后美光、三星和海力士一代左右的工藝水平。三星積極擴(kuò)充 NAND 產(chǎn)能，意圖擠占競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手份額。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，以存儲(chǔ)位 元產(chǎn)出計(jì)算，2023 年全球 NAND 行業(yè)產(chǎn)出 8954 億(等價(jià) 8GB)，同比增加 21%。以晶 圓產(chǎn)出計(jì)算，2023 年全球 NAND 晶圓產(chǎn)量 2061 萬(wàn)片(等價(jià) 12 英寸)，同比增加 1%。 展望 2023 年各大存儲(chǔ)廠商 NAND 產(chǎn)能情況，三星、YMTC 將增產(chǎn)，鎧俠/WDC、海力士 和美光都將減產(chǎn)。在終端需求不景氣以及 NAND 價(jià)格持續(xù)下跌的背景下，三星激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn) 的原因主要在于：1)NAND 芯片競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手較多，部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如鎧俠與 WDC 的聯(lián)盟產(chǎn) 品組合單一，專注于 NAND 業(yè)務(wù)，缺乏 DRAM 的產(chǎn)品組合來(lái)保護(hù)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)，因此總體抗 風(fēng)險(xiǎn)能力略遜于其他同時(shí)專注于 DRAM 和 NAND 的存儲(chǔ)廠商。三星或希望通過(guò)激進(jìn)的擴(kuò) 產(chǎn)計(jì)劃，來(lái)?yè)屨疾糠指?jìng)爭(zhēng)對(duì)手的份額。2)三星一部分 NAND 的產(chǎn)能來(lái)自西安工廠，長(zhǎng)期 來(lái)看西安廠擴(kuò)產(chǎn)能力有限，三星或在韓國(guó)廠增加彌補(bǔ)西安廠產(chǎn)能下滑的風(fēng)險(xiǎn)。除三星外各大 NAND 存儲(chǔ)廠商紛紛削減 23 年資本開支。根據(jù) Trendforce 的數(shù)據(jù)，2022 年全球 NAND 廠商資本開支 323.95 億美元，同比增加 9%。預(yù)計(jì) 2023 年全球 NAND 廠 商資本開支 220 億美元，同比減少 32%。細(xì)分廠商來(lái)看，三星、鎧俠/WDC 和海力士占 據(jù)資本開支前三名。目前三星在 NAND 業(yè)務(wù)上仍然持續(xù)加大資本開支，希望通過(guò)擴(kuò)充 NAND 產(chǎn)能擠走部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。2022 年資本開支同比增加 9%，2023 年同比增加 2%。 鎧俠和 WDC 大幅度下修了 2023 年的資本開支計(jì)劃，2023 年同比減少 46%。美光資本 開支的下修程度最高， 2023 年同比減少 54%。海力士資本開支下修幅度與美光接近， 2023 年同比減少 53%。我們看好 2023 年 NAND 價(jià)格先跌后漲。在經(jīng)歷 2022 年下半年的劇烈下滑后，許多 NAND 廠商已實(shí)際開展減產(chǎn)行動(dòng)，加之 NAND 較 DRAM 更有價(jià)格彈性，我們看好 NAND 價(jià)格 下行周期較 DRAM 更早結(jié)束。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，NAND 價(jià)格相較 DRAM 更具彈 性，分供需來(lái)看：1)供給端：在 wafer 價(jià)格跌破現(xiàn)金價(jià)的情況，許多廠商如海力士、鎧 俠和 WDC 已實(shí)際展開減產(chǎn)行動(dòng)，同時(shí)疊加美國(guó)禁令對(duì) YMTC 的限制，使得 NAND 總產(chǎn) 能收斂較快。2)需求端：長(zhǎng)期來(lái)看，全球數(shù)據(jù)量指數(shù)增加，云業(yè)務(wù)廠商持續(xù)留存數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)的需求。在他們消耗完原有價(jià)格較高的 SSD 后，2023 年下半年 NAND 需求量有望增 加。因此，2023 年 NAND 的價(jià)格彈性會(huì)高于 DRAM。2.3 2023 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模 596 億，三巨頭寡占市場(chǎng)，EUV 和 3D DRAM 或成未 來(lái)趨勢(shì)DRAM 是當(dāng)前市場(chǎng)主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，2023 年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 596 億美元。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2022 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模為 596 億美元，同比減少 13%。 預(yù)計(jì) 2023 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 1552 億美元，同比減少 28%。從出貨量看，以 等價(jià) 2GB 計(jì)算，預(yù)計(jì) 2022 年全球出貨 1048 億顆 DRAM 芯片，同比增加 19%。預(yù)計(jì) 2023 年全球出貨 1155 億顆 DRAM 芯片，同比增加 10%。從價(jià)格看，以等價(jià) 2GB 計(jì)算，DRAM 芯片價(jià)格持續(xù)下跌，預(yù)計(jì) 2022 年同比下滑 17%，2023 年下滑程度進(jìn)一步放大達(dá) 36%。DRAM 領(lǐng)先廠商經(jīng)過(guò)不斷地收并購(gòu)持續(xù)重塑行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，在過(guò)去三十年間 DRAM 行業(yè) 經(jīng)歷了從美國(guó)到日本再到韓國(guó)的變遷。1966 年 IBM 發(fā)明了最早的 DRAM，1970s 英特爾 成為 DRAM 行業(yè)霸主。隨后，美國(guó)、日本的廠商紛紛進(jìn)入 DRAM 行業(yè)，日本以舉國(guó)體制 發(fā)展 DRAM 行業(yè)，富士通、日立、三菱、 NEC、東芝等廠商憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)快速占領(lǐng)市 場(chǎng)，份額反超美國(guó)市場(chǎng)。20 世紀(jì) 80 年代后期，美國(guó)對(duì)日本廠商使用反傾銷手段，使得韓 國(guó)廠商趁亂而起。90 年代后期，DRAM 市場(chǎng)大洗盤開始，1998 年德州儀器將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出 售給美光，1999 年 IBM 將 DRAM 業(yè)務(wù)出售給東芝，1999 年日立和 NEC 合并成立爾必 達(dá)，2001 年海力士從現(xiàn)代集團(tuán)中分拆。21 世紀(jì)初，DRAM 競(jìng)爭(zhēng)格局為三星、SK 海力士、 奇夢(mèng)達(dá)、美光、爾必達(dá)五強(qiáng)爭(zhēng)霸。2008 年金融危機(jī)后，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入下行周期，三星持 續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能加劇行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，2009 年奇夢(mèng)達(dá)率先破產(chǎn)，2012 年?duì)柋剡_(dá)在申請(qǐng)破產(chǎn)后被美光 收購(gòu)。數(shù)十年的大浪淘沙后，目前 DRAM 市場(chǎng)主要由三星、海力士與美光獨(dú)占，三大公 司市占率超過(guò) 95%。從供給端看，DRAM 行業(yè)高度集中，呈現(xiàn)為三星、海力士和美光三家寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格 局。根據(jù) Statista 和 TrendForce 的數(shù)據(jù)，在 2013 年美光完成對(duì)爾必達(dá)的收購(gòu)后，DRAM 行業(yè)集中度持續(xù)上升，2022 年第三季度 CR3 超過(guò) 95%，三星、海力士和美光分別占比 41%、29%和 26%。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格不同，DRAM 可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。根據(jù)兆易創(chuàng)新 2021 年 報(bào)摘要中轉(zhuǎn)引 TrendForce 的數(shù)據(jù)，2021 年利基型 DRAM 的市場(chǎng)規(guī)模約 90 億美元，在 DRAM 中的占比約 9.5%。主流 DRAM 通常為最新規(guī)格的內(nèi)存產(chǎn)品，具備最先進(jìn)的性能， 當(dāng)前主流產(chǎn)品為 DDR4 和 DDR5.隨著原廠去庫(kù)存壓力加劇，DRAM 價(jià)格快速下行，看 好 DDR5 的市場(chǎng)份額有望在 2023 年開始快速提升。目前主流 DRAM 市場(chǎng)中三星、海力 士和美光三分天下，除此之外華邦、南亞和合肥長(zhǎng)鑫也都定位于主流 DRAM 供應(yīng)商。利 基型 DRAM 多應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車、網(wǎng)絡(luò)通訊和工業(yè)控制，技術(shù)門檻相對(duì)較低，主流 產(chǎn)品多為 DDR2 和 DDR3.落后于主流 DRAM 產(chǎn)品 1-2 代的差距。利基型 DRAM 競(jìng)爭(zhēng)格 局相對(duì)分散，眾多國(guó)內(nèi)外廠商均有產(chǎn)品布局，例如兆易創(chuàng)新、北京君正和東芯股份。隨著 國(guó)外大廠逐漸推出利基市場(chǎng)(三星 21Q4 停產(chǎn) DDR2.預(yù)計(jì) 23 年停產(chǎn) DDR3;海力士也計(jì) 劃停產(chǎn) DDR3)，國(guó)內(nèi)廠商將迎來(lái)份額提升的機(jī)會(huì)。隨著 DRAM 制程逐漸接近 10nm，DRAM 單元尺寸的微縮變得越來(lái)越復(fù)雜，如何實(shí)現(xiàn)對(duì) 電容器的進(jìn)一步縮放以及刻畫越來(lái)越密度的圖形成為關(guān)鍵問題。DRAM 急需在材料和架 構(gòu)方面做出突破，從而降低成本、最大限度地降低功耗并提高數(shù)據(jù)傳輸速度。EUV 光刻、 混合鍵合和 3D DRAM 或?qū)⒊蔀槲磥?lái) DRAM 存儲(chǔ)密度和性能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)。短期 內(nèi)，EUV光刻已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)共識(shí)，EUV的使用使得DRAM制程進(jìn)一步微縮到15nm以下， 單顆芯片的容量提升到 16GB 以上，三星和海力士已經(jīng)在 1α 制程的 DRAM 生產(chǎn)上引入 EUV 光刻機(jī)，相對(duì)保守的海光也將在下一代 1γ 制程引入 EUV 光刻機(jī)的使用。長(zhǎng)期來(lái)看， 從 2D 走向 3D 來(lái)避開平面縮放的限制或?qū)⒖赡芪磥?lái)可能的技術(shù)趨勢(shì)。DRAM廠商產(chǎn)能增加幅度收斂，DRAM廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃有所延后。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)， 以存儲(chǔ)位元產(chǎn)出計(jì)算，2023 年全球 DRAM 行業(yè)產(chǎn)出 1155 億(等價(jià) 2GB)，同比增加 10%。以晶圓產(chǎn)出計(jì)算，2023 年全球 DRAM 晶圓產(chǎn)量 1931 萬(wàn)片(等價(jià) 12 英寸)，同 比增加 1%。展望 2023 年各大存儲(chǔ)廠商 DRAM 產(chǎn)能情況，三星、海力士和 CXMT 將增 產(chǎn)，分別同比增加 5%、7%和 26%，。美光和南亞都將減產(chǎn)，分別同比減少 12%和 18%。 在新廠商的建設(shè)以及新產(chǎn)能的擴(kuò)產(chǎn)上，三星 P3L 工廠的建設(shè)完畢，預(yù)計(jì) 23Q1 開始量產(chǎn) DRAM，未來(lái)三星或?qū)⒃?P3L 持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能;美光在中國(guó)臺(tái)灣取得新廠房土地后暫無(wú)新 的進(jìn)展;海力士有 40-50%的 DRAM 產(chǎn)能在無(wú)錫，這部分產(chǎn)能未來(lái)引進(jìn) EUV 轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制 程的可能性較小;南亞和華邦延后了原本的新廠房建設(shè)計(jì)劃。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2022 年 DRAM 廠商資本開支 302 億美元，同比增加 8%。預(yù) 計(jì) 2023 年 DRAM 廠商資本開支 223 億美元，同比減少 26%。細(xì)分廠商來(lái)看，三星、海 力士和美光占據(jù)資本開支前三名。目前三星的資本開支下修程度最低，2022 年同比減少 3%，2023 年同比增加 5%。海力士資本開支的下修程度最大，2022 年同比減少 15%， 2023 年同比減少 48%。美光資本開支 2022 年同比減少 6%，2023 年同比減少 40%。2022 年其他中小 DRAM 廠商，如華邦、南亞科、CXMT 等廠商的資本開支有所上調(diào)。2.4 NOR 市場(chǎng)空間 25 億美元，國(guó)產(chǎn)廠商市占率穩(wěn)步提升NOR Flash 和 NAND Flash 性能和定位不同，二者可互補(bǔ)而不可替代。 NOR 具有不可替代性。雖然與主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 容量密度小、寫入 和擦除速度慢、成本高價(jià)格貴，但由于有獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線和地址總線使得其具有隨機(jī)存取 和對(duì)字節(jié)行編程操作的能力，支持代碼執(zhí)行(Xip)，極其適合嵌入式的應(yīng)用。而且 NOR Flash 還具備高可靠性、隨機(jī)讀取速度快、壽命更長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，使得其在擦除和編程操作較 少而直接執(zhí)行代碼的場(chǎng)合，尤其是純代碼存儲(chǔ)的應(yīng)用中廣泛使用，是手機(jī)、PC、DVD、 TV、USB Key、機(jī)頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存應(yīng)用領(lǐng)域的首選。同時(shí)，NOR Flash 沒 有壞塊和易于存儲(chǔ)執(zhí)行代碼的性能優(yōu)勢(shì)，在車用和工業(yè)等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景中也具有不可 替代性。因此，雖然在智能手機(jī)時(shí)代 NAND 對(duì) NOR 造成大量的替代，但是 NOR 市場(chǎng)仍 具有不可替代的生存基礎(chǔ)。實(shí)際行業(yè)應(yīng)用中 NOR 與 NAND 或 DRAM 互補(bǔ)使用。在實(shí)際的行業(yè)應(yīng)用中，客戶多選擇 NOR 與 NAND 或 DRAM 互補(bǔ)使用，一般性原則為：在大容量的多媒體應(yīng)用中選用 NAND 型閃存，而在數(shù)據(jù)/程序存貯應(yīng)用中選用 NOR 型閃存。根據(jù)這一原則，設(shè)計(jì)人員將兩種閃 存芯片結(jié)合起來(lái)使用，用 NOR 芯片存儲(chǔ)程序，用 NAND 芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，使兩種閃存的優(yōu) 勢(shì)互補(bǔ)，如手機(jī)、PocketPC、PDA 及電子詞典等設(shè)備。以手機(jī)為例，采用支持 XIP 技術(shù) 的 NOR 閃存能夠直接運(yùn)行 OS，速度很快，既簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，又降低成本，因此一般小巧優(yōu) 雅的手機(jī)都采用 NOR+RAM 的設(shè)計(jì);追求大存儲(chǔ)容量的手機(jī)則更多地選擇 NAND 閃存; 而同時(shí)追求功能和速度的手機(jī)則會(huì)采用 NOR+NAND+RAM 的設(shè)計(jì)，這種取長(zhǎng)補(bǔ)短的設(shè) 計(jì)能夠發(fā)揮 NOR 和 NAND 各自的優(yōu)勢(shì)。NOR Flash 市場(chǎng)經(jīng)歷數(shù)次洗牌，海外廠商逐漸撤退，中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸廠商趁勢(shì)而起。 自 1998 年英特爾首次推出 256Kbit NOR 閃存芯片以來(lái)，NOR Flash 市場(chǎng)已經(jīng)歷經(jīng)數(shù)次 洗牌。2009 年飛索半導(dǎo)體尋求破產(chǎn)保護(hù)，并在 2015 年與賽普拉斯合并;2010 年三星開 始逐漸淡出 NOR Flash 市場(chǎng);2017 年賽普拉斯、美光科技宣布退出中低容量的 NOR 市 場(chǎng)，轉(zhuǎn)向工控和車載等高端市場(chǎng)。2019 年消費(fèi)電子需求爆發(fā)，伴隨著海外龍頭逐步退出 部分 NOR Flash 市場(chǎng)，市場(chǎng)供需關(guān)系得以改善，專注消費(fèi)市場(chǎng)的旺宏、華邦電和兆易創(chuàng) 新等廠商積極擴(kuò)充產(chǎn)能、增加銷售額，同時(shí)也大力向高端市場(chǎng)拓展，使得整體市場(chǎng)份額不 斷提升，NOR Flash 行業(yè)也同步迎來(lái)向上拐點(diǎn)。根據(jù) CINNO Research 和 IC Insights 的 數(shù)據(jù)，2021 年 NOR Flash 市場(chǎng)份額主要被華邦、旺宏和兆易創(chuàng)新所占據(jù)，市占率分別為 35%、33%和 23%。2.5 AI 爆火帶動(dòng) GPU 需求激增，HBM 有望持續(xù)受益“3D 堆疊+近存儲(chǔ)運(yùn)算”突破內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，成為處理大量數(shù)據(jù)和復(fù)雜處理要求的 理想解決方案。 高帶寬存儲(chǔ)器(HBM, High Bandwidth Memory)是一款新型的高帶寬、高附加值 DRAM產(chǎn)品。憑借獨(dú)特的 TSV 信號(hào)縱向連接技術(shù)，HBM 內(nèi)部將數(shù)個(gè) DRAM 芯片在緩沖芯片上 進(jìn)行立體堆疊，其內(nèi)部堆疊的 DDR 層數(shù)可達(dá) 4 層、8 層以至 12 層，從而形成大容量、 高位寬的 DDR 組合陣列。TSV 是在 DRAM 芯片上搭上數(shù)千個(gè)細(xì)微孔并通過(guò)垂直貫通的 電極連接上下芯片的技術(shù)。該技術(shù)在緩沖芯片上將數(shù)個(gè) DRAM 芯片堆疊起來(lái)，并通過(guò)貫 通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號(hào)、指令、電流。相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術(shù)能夠縮減 30%體積，并降低 50%能耗。憑借 TSV 方式，HBM 大幅提高了容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。 與傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)相比，HBM 具有更高帶寬、更多 I/O 數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等特征。 除此之外，HBM 堆棧不通過(guò)外部互連線的方式與 GPU/CPU/Soc 連接，而是通過(guò)中間介 質(zhì)層緊湊快速地連接信號(hào)處理器芯片。在傳統(tǒng)的馮諾依曼計(jì)算架構(gòu)中，處理器 CPU 存儲(chǔ) 器之間通過(guò)數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，而由于存儲(chǔ)與計(jì)算單元的結(jié)構(gòu)、工藝、封裝不同，導(dǎo) 致存儲(chǔ)單元的訪問速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上計(jì)算單元的數(shù)據(jù)處理速度，系統(tǒng)每進(jìn)行一次運(yùn)算都需要 將參數(shù)輸入存儲(chǔ)器進(jìn)行一次讀寫，因此信息交換速度的提高極其受制于存儲(chǔ)器的性能。相 比之下， HBM 通過(guò) 3D 堆疊多層 DDR 提供海量并行處理能力、通過(guò)集成型 HBM 提供 極高的存儲(chǔ)器帶寬，并使得數(shù)據(jù)參數(shù)距離核心計(jì)算單元更近，從而有效降低數(shù)據(jù)搬運(yùn)的延 遲和功耗。在系統(tǒng)集成方面，HBM 將原本在 PCB 板上的 DDR 內(nèi)存顆粒和計(jì)算芯片一起 集成到 SiP，有效利用空間、縮小面積。ChatGPT 橫空出世使得 AI 服務(wù)器爆火，催生對(duì)高算力 GPU 以及高性能存儲(chǔ)的需求，高 帶寬 HBM 或?qū)⒊掷m(xù)成長(zhǎng)。 HBM 當(dāng)前滲透率依然較低，截至 2021 年，HBM 位元需求占整體 DRAM 市場(chǎng)的比例仍 未達(dá) 1%，主要由于：(1)消費(fèi)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于價(jià)格極其敏感，且數(shù)據(jù)處理復(fù)雜程度相 對(duì)不高，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器足夠滿足其需求，幾乎不需要使用到 HBM;(2)服務(wù)器市場(chǎng)出于性 價(jià)比考慮往往不會(huì)優(yōu)選 HBM，大部分傳統(tǒng)服務(wù)器仍使用 GDDR5、GDDR6 來(lái)提升內(nèi)存性 能，目前搭載高端 AI 算力芯片的服務(wù)器占比僅 1%左右。 這幾年因?yàn)橛ミ_(dá)的 GPU 大量被使用在人工智能的云端辨識(shí)系統(tǒng)，從每臺(tái)服務(wù)器加兩片 高速運(yùn)算 GPU 卡，4 片到 8 片 GPU 卡都有，讓英偉達(dá)在數(shù)據(jù)中心芯片市場(chǎng)的份額從 2018-2019 年的不到 10%，到 2021 年的超過(guò) 25%，全球人工智能服務(wù)器占比也逐年提 升至 2021 年近 10%。以英偉達(dá) 7nm 芯片 A100 為例，芯片面積雖然高達(dá) 826mm2.最 大耗電量達(dá) 400W, 但其在浮點(diǎn)半精度，單精度，雙精度稀疏及理論峰值運(yùn)算都明顯優(yōu)于 同業(yè)，為了讓 A100 的 DGX 人工智能服務(wù)器系統(tǒng)發(fā)揮效能，除了要配備 512GB-2TB DDR4-3200 MT/s DRAM 給 AMD CPU 用外，還要另外配備 320-640GB HBM 給 GPU 使用。以英偉達(dá)A100 80GB配置4或8張GPU卡來(lái)計(jì)算，其HBM用量約為320~640GB。 隨著 AI 模型逐漸復(fù)雜化，將刺激更多的存儲(chǔ)器用量，并帶動(dòng) Server 端 DRAM、SSD 和 HBM 的需求成長(zhǎng)。所以全球 AI 服務(wù)器(使用 GPU，ASIC 來(lái)做人工智能整數(shù)，浮點(diǎn)運(yùn)算) 出貨占比的提升，對(duì) HBM 內(nèi)存需求同比增長(zhǎng)有明顯的拉動(dòng)作用, 占比逐年提升可期。2023 年以來(lái) Microsoft、Meta、Baidu 和 ByteDance 相繼推出基于生成式 AI 衍生的產(chǎn)品 服務(wù)而積極加單，根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)， AI 服務(wù)器用 GPU，主要以英偉達(dá) H100、 A100、A800(主要出貨中國(guó))以及 AMD MI250、MI250X 系列為主，英偉達(dá)占比約 80%， 這些高性能 AI 芯片均采用 HBM，因此 TrendForce 預(yù)計(jì) 2023-2025 年 HBM 市場(chǎng) CAGR 有望達(dá) 40-45%以上。根據(jù)我們對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的調(diào)研，我們看好 2023-2025 年 AI 訓(xùn)練 服務(wù)器出貨量實(shí)現(xiàn) 50%左右的高增速，2026 年出貨量增速保持在 30%左右，我們測(cè)算得 2026 年 HBM 市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá) 56.9 億，2022-2026 年 CAGR 有望達(dá) 52%，符合市場(chǎng)預(yù) 期。目前全球 HBM 市場(chǎng)仍舊由海力士與三星壟斷，SK 海力士 HBM 技術(shù)起步早，從 2014 年 推出首款 HBM 后，SK 海力士一直是 HBM 行業(yè)領(lǐng)頭羊，目前海力士占據(jù)全球 HBM 市場(chǎng) 一半以上的市場(chǎng)份額。后期在美光、Synopsys 等企業(yè)加入布局 HBM 產(chǎn)品推動(dòng)行業(yè)加速 競(jìng)賽后，HBM 內(nèi)存技術(shù)已從 HBM、HBM2、HBM2E 升級(jí)至 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)(第四代 HBM)。 2021 年 SK 海力士發(fā)布的全球首款 HBM3 適用于 AI、HPC 等容量密集型應(yīng)用，該產(chǎn)品 已于 2022 年 6 月開始量產(chǎn)并供貨英偉達(dá)。英偉達(dá)對(duì) HBM DRAM 的應(yīng)用，標(biāo)志著高性能 存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用迎來(lái)了一個(gè)新的時(shí)代。2023 年 4 月，SK 海力士宣布已在全球首 次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，實(shí)現(xiàn)最高容量24GB，容量較上一代 HBM3 DRAM 提升 50%，目前已向客戶提供樣品，正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證，將在上半年內(nèi)完成 量產(chǎn)準(zhǔn)備。目前海力士也正在進(jìn)行 HBM4 的研發(fā)，預(yù)計(jì)后續(xù)將廣泛應(yīng)用于 AI、超算、高 性能數(shù)據(jù)中心、推薦引擎、800G 路由器交換機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)加速、防火墻監(jiān)測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域。 根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2022 年三大原廠 HBM 市占率分別為 SK 海力士(SK hynix) 50%、三星(Samsung)約 40%、美光(Micron)約 10%。此外，伴隨 AI 訓(xùn)練與推理 模型拉動(dòng)高階深度學(xué)習(xí) AI GPU 規(guī)格的提升，其熱度也將進(jìn)一步向上傳導(dǎo)至 HBM 產(chǎn)品的需求拉升與技術(shù)更迭。目前已有 NVIDIA H100 與 AMD MI300 正式搭載 HBM，三大原廠 海力士、三星、美光也已規(guī)劃在 2023 下半年進(jìn)行相對(duì)應(yīng)規(guī)格 HBM3 的量產(chǎn)。海力士作為 HBM 創(chuàng)始者具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)在今年將有更多客戶導(dǎo)入 HBM3 的情況下，海力士整體 HBM 市占率有望進(jìn)一步提升至 53%，而三星、美光則預(yù)計(jì)陸續(xù)在今年底至明年初量產(chǎn)， HBM 市占率分別為 38%及 9%。三、重點(diǎn)公司分析3.1 主線一：利基型存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新：存儲(chǔ)和 MCU 同步布局，DRAM 業(yè)務(wù)進(jìn)展提速 存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)：1)NOR Flash 產(chǎn)品覆蓋 512Kb~2Gb 大容量的全系列產(chǎn)品(其中 128Mb 以上大容量產(chǎn)品占比超 60%)，55nm 工藝制程出貨量占比已接近 70%，車規(guī) NOR Flash 在行業(yè)頭部客戶業(yè)務(wù)收入高速增長(zhǎng)，國(guó)際頭部 Tier1 客戶導(dǎo)入工作進(jìn)展順利，整體下游客 戶結(jié)構(gòu)以中高端客戶為主，海外客戶收入占比超 50%。2)NAND Flash 產(chǎn)品 38nm、24nm 工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并完成 1Gb~8Gb 主流容量全覆蓋。3)DRAM 方面，產(chǎn)品重點(diǎn)布局 安防、機(jī)頂盒以及工業(yè)等領(lǐng)域，自研占比逐步提升，17nm DDR3 產(chǎn)品于 2022 年 9 月向 市場(chǎng)推出，相較臺(tái)廠 20nm 產(chǎn)品有較強(qiáng)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，2023 年有望放量。截至 2023 年 4 月，兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨量達(dá) 1 億顆。 MCU 業(yè)務(wù)：公司在 2022 年 9 月發(fā)布首款基于 M33 內(nèi)核 40nm 制程的車規(guī) MCU，產(chǎn)品 定位車身域、座艙域和安全域上，2023 年有望放量，成為公司營(yíng)收新的增長(zhǎng)點(diǎn)。目前 MCU 已成功量產(chǎn) 37 大產(chǎn)品系列、超過(guò) 450 款，在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上工業(yè)、汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)良好成長(zhǎng)， 工業(yè)應(yīng)用為第一大營(yíng)收來(lái)源，同時(shí)公司在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、攜帶式、戶用、微型儲(chǔ)能器 領(lǐng)域也在加速布局。兆易創(chuàng)新 NOR Flash 市占率全球第三，持續(xù)受益于下游 AIoT 及車規(guī)市場(chǎng)高景氣。2021 年兆易創(chuàng)新 NOR Flash 市占率 23.2%，全球排名第三，僅次于華邦和旺宏，且營(yíng)收體量 快速擴(kuò)張。公司 128Mb-2Gb 中大容量 NOR Flash 產(chǎn)品占比超 60%，其中工業(yè)和汽車增 長(zhǎng)迅速，且制程由 65nm 向 55nm 轉(zhuǎn)換順利，帶來(lái)產(chǎn)能和毛利率提升。NOR Flash 應(yīng)用 領(lǐng)域廣泛，目前廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、屏幕以及車載電子等下游領(lǐng)域。近年來(lái)， AIoT 以及車載存儲(chǔ)為 NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大提供了重要驅(qū)動(dòng)力。兆易創(chuàng)新營(yíng)收穩(wěn)定成長(zhǎng)，體量不斷擴(kuò)張。兆易創(chuàng)新 2021 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 85.10 億元，同 比增加 89.25%，歸母凈利潤(rùn) 23.27 億元，同比增加 165.33%。其中存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收 54.51 億元，MCU 業(yè)務(wù)營(yíng)收 24.56 億元，傳感器業(yè)務(wù)營(yíng)收 5.46 億元，占比分別為 64%、 29%、6%。2022 年前三季度兆易創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 67.69 億元，同比增加 6.94%，歸母凈利 潤(rùn) 20.92 億元，同比增加 26.92%。2022 年前三季度營(yíng)收和利潤(rùn)仍保持正向成長(zhǎng)，單三 季度遭遇短期調(diào)整，營(yíng)收和凈利潤(rùn)同比環(huán)比均下滑，歸因于消費(fèi)市場(chǎng)需求下行，22Q3 營(yíng) 收同比減少約 7 億(存儲(chǔ)芯片 4.7 億、MCU 1.4 億，傳感器 0.9 億)，毛利率下滑 3.7% 到 46.1%。短期承壓主要源于消費(fèi)類市場(chǎng)進(jìn)入下行周期，疊加經(jīng)濟(jì)和疫情等因素影響。北京君正：四大業(yè)務(wù)線并行，車用存儲(chǔ)未來(lái)可期2022 年?duì)I收小幅增長(zhǎng)，新品產(chǎn)業(yè)化落地將打開成長(zhǎng)空間。2022 年全年實(shí)現(xiàn)總營(yíng)收 54.12 億元，同比+2.61%，增速下滑主要系 2022 年消費(fèi)電子需求持續(xù)疲弱，智能視頻芯片、 微處理器芯片業(yè)績(jī)承壓。盈利能力來(lái)看，公司 2022 年綜合毛利率為 38.56%，較上一年 同期上升 1.6pct。2022 年北京君正四大產(chǎn)品線需求分化，存儲(chǔ)、模擬互聯(lián)實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)：1)微處理器芯片主要 面向 IoT 市場(chǎng)的各類智能硬件產(chǎn)品，受季節(jié)性需求變化、市場(chǎng)宏觀需求變動(dòng)等因素影響， 消費(fèi)類智能硬件產(chǎn)品的市場(chǎng)需求同比下降，二維碼、生物識(shí)別、教育電子等細(xì)分市場(chǎng)的需 求均出現(xiàn)同比下滑，2022 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約 1.27 億元，同比下滑 35.96%。2)智能視頻芯 片市場(chǎng)由 2021 年的供不應(yīng)求快速切換到 2022 年供過(guò)于求的狀況，需求低迷疊加產(chǎn)業(yè)鏈 去庫(kù)存壓力較大，2022 年?duì)I收約 6.43 億元，同比下降 34.32%。3)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品線， 北京君正車規(guī) SRAM 和車規(guī) DRAM 在全球車規(guī)細(xì)分市場(chǎng)均名列前茅，車規(guī) Flash 芯片的 市場(chǎng)銷售較 2021 年相比實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)。隨著汽車智能化的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)芯片的單車 價(jià)值量預(yù)計(jì)將不斷提升，有望推動(dòng)存儲(chǔ)芯片在車規(guī)市場(chǎng)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)。2022 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收將 近 40.55 億元，同比增加 12.80%，其中汽車、工業(yè)等市場(chǎng)保持了良好的需求。4)模擬 互聯(lián)芯片，2022 年實(shí)現(xiàn)收入 4.79 億元，在各個(gè)產(chǎn)品線中成長(zhǎng)表現(xiàn)最優(yōu)，同比實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng) 16.01%，主要系北京君正在車規(guī) HBLED 芯片等方面已逐漸成為市場(chǎng)主要供應(yīng)商。汽車智能化推動(dòng)終端市場(chǎng)需求旺盛，車用存儲(chǔ)未來(lái)可期。相比于消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)，車載存儲(chǔ)行 業(yè)進(jìn)入壁壘高、價(jià)格波動(dòng)小、成長(zhǎng)速度快。受益于自動(dòng)駕駛和新能源車需求增加，車用儲(chǔ) 存芯片市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大，其中 DRAM 和 NAND 為需求重點(diǎn)。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，2021 年全球車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模 43 億美元，DRAM 和 NAND 分別占比 41%和 39%。2027 年車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)到 125 億美元，NAND 市場(chǎng)份額將成長(zhǎng)到 63%，21-27 年 車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模 CAGR 達(dá) 20%。東芯股份：國(guó)內(nèi) SLC NAND 龍頭，主流存儲(chǔ)產(chǎn)品全覆蓋存儲(chǔ)全品類布局，下游應(yīng)用場(chǎng)景廣泛：東芯股份深耕中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷 售，可提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存儲(chǔ)芯片解決方案，為國(guó)內(nèi)少數(shù)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品 全覆蓋的芯片設(shè)計(jì)公司。目前東芯股份設(shè)計(jì)并量產(chǎn)的 24nm NAND、48nm NOR 均系大 陸領(lǐng)先制程。目前東芯股份的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)終端、消費(fèi)電子、工業(yè)和 汽車電子等領(lǐng)域，已在高通、博通、聯(lián)發(fā)科、紫光展銳、中興微、瑞芯微、北京君正、恒 玄科技等多家平臺(tái)商獲得認(rèn)證，成功進(jìn)入三星電子、?？低暋⒏锠柟煞?、傳音控股、惠 爾韋等國(guó)內(nèi)外客戶供應(yīng)鏈體系。東芯股份為國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家覆蓋車規(guī)級(jí) SLC NAND 的企業(yè)之一。目前，車規(guī)級(jí) NAND 市場(chǎng) 主要由國(guó)際巨頭壟斷，三星、鎧俠、海力士、西部數(shù)據(jù)與美光合計(jì)占據(jù)全球 90%以上的 車規(guī)級(jí) NAND 市場(chǎng)規(guī)模。東芯股份 SLC NAND 工藝制程覆蓋 38nm、24nm，產(chǎn)品覆蓋 1Gb 到 32Gb，并且正在開發(fā) 1xnm 工藝，19nm 車規(guī)級(jí)產(chǎn)品已完成首輪晶圓流片。在 38nm 工藝上，東芯股份 2022 年已經(jīng)可以為客戶提供車規(guī)級(jí)的 PPI NAND 以及 SPI NAND 的 樣品，包括 1G、2G 到最大的 8G 車規(guī)的 NAND Flash。我們認(rèn)為未來(lái)新能源汽車發(fā)展疊 加國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，將為東芯股份發(fā)展帶來(lái)廣闊增長(zhǎng)空間。普冉股份：NOR Flash+EEPROM 雙輪驅(qū)動(dòng)，特色工藝構(gòu)筑核心競(jìng)爭(zhēng)力SONOS+ETOX 雙工藝結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)，中小容量存儲(chǔ)產(chǎn)品具有絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)：普冉股份 NOR Flash 業(yè)務(wù)在國(guó)內(nèi)供應(yīng)商中排名第二，2021 年占普冉股份總營(yíng)收的 78.37%。1)在 512Kbit-128Mbit 中小容量 NOR Flash 系列產(chǎn)品上，普冉股份采取市場(chǎng)少有的賽普拉斯授 權(quán)電荷俘獲 SONOS 工藝結(jié)構(gòu)，在 40nm 工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)差異化產(chǎn)品，SONOS 工藝結(jié) 構(gòu)具備低功耗、高可靠性、低工藝復(fù)雜度及低成本等顯著特征，在中小容量 NOR 市場(chǎng)占 據(jù)優(yōu)勢(shì)。目前 NOR Flash 行業(yè)主流工藝制程為 55nm，普冉股份 40nm 工藝制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水平;2)在大容量 NOR Flash 系列產(chǎn)品上，產(chǎn)品高端化鎖定未來(lái)增量。普冉股份在已有產(chǎn)品技術(shù)上，采用浮柵 (ETOX)工藝結(jié)構(gòu)，提供以中大容量為主、中小容量為輔的系列產(chǎn)品，已達(dá)到 50nm 的 先進(jìn)制程，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了六顆產(chǎn)品的大批量量產(chǎn)出貨，256Mbit 到 1Gbit 容量產(chǎn)品正在 依照規(guī)劃逐步推出。EEPROM 市場(chǎng)空間廣闊，下游市場(chǎng)需求高增。EEPROM 由于其獨(dú)特的芯片結(jié)構(gòu)，具備 高可靠性、長(zhǎng)使用壽命和高性價(jià)比等優(yōu)點(diǎn)，滿足了消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域 穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。近年來(lái)，隨著智能手機(jī)攝像頭的多攝配置和功能升級(jí)的趨勢(shì)，疊加 汽車智能化和電動(dòng)化的必然趨勢(shì)，EEPROM 市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)提升。普冉股份 EEPROM 產(chǎn) 品容量覆蓋 2Kbit–4Mbit, 業(yè)務(wù)客戶覆蓋多家知名手機(jī)攝像頭模組廠及聞泰科技、華勤通 訊、龍旗科技等 ODM，終端客戶為國(guó)內(nèi)多家主流手機(jī)和家電品牌。此外，普冉股份持續(xù) 改善下游業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，EEPROM 產(chǎn)品自 2022 年 Q1 開始逐步向工控、家電、車載等領(lǐng)域 傾斜，消費(fèi)類占比明顯下降，目前普冉股份中大容量 EEPROM 已實(shí)現(xiàn) 95nm 及以下制程 量產(chǎn)，部分車規(guī)級(jí)產(chǎn)品順利通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證。恒爍股份：深耕中小容量 NOR Flash，MCU 構(gòu)筑第二成長(zhǎng)曲線深耕中小容量 NOR Flash，營(yíng)收和市占率穩(wěn)健成長(zhǎng)。恒爍股份 NOR Flash 主要為 128Mb 及以下的中小容量產(chǎn)品，具有高可靠性、高性能、低功耗、寬電壓范圍和寬溫度范圍等特 點(diǎn)，目前主要用于可穿戴設(shè)備、手機(jī)屏、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、TWS 耳機(jī)及電池驅(qū)動(dòng)通訊模組等 終端設(shè)備，并同步開展大容量(256Mb/512Mb/1Gb)產(chǎn)品的研發(fā)。2021 年恒爍股份營(yíng)收 實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，NOR Flash 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 4.97 億元，同比增長(zhǎng) 104.54%;MCU 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng) 收 0.77 億元，同比增長(zhǎng) 974.13%。國(guó)際龍頭的退出與可穿戴設(shè)備的發(fā)展助推恒爍股份 NOR Flash 業(yè)務(wù)。隨著國(guó)際龍頭退出 消費(fèi)類 NOR Flash 市場(chǎng)，以及恒爍股份不斷進(jìn)行技術(shù)迭代，NOR Flash 國(guó)產(chǎn)替代空間廣 闊?？纱┐髟O(shè)備同樣對(duì) NOR Flash 產(chǎn)生大量需求。根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2021 年全球可穿 戴設(shè)備出貨量接近 5 億臺(tái)。隨著全球可穿戴設(shè)備滲透率進(jìn)一步提升，NOR Flash 用量有 望繼續(xù)增長(zhǎng)。3.2 主線二：存儲(chǔ)模組廠商江波龍：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組龍頭廠商，前瞻布局工規(guī)和車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器深耕存儲(chǔ)應(yīng)用與數(shù)據(jù)管理，四大產(chǎn)品線蓬勃發(fā)展。江波龍成立于 1999 年，主要從事 Flash 及 DRAM 存儲(chǔ)器的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售。目前，江波龍擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng) 存儲(chǔ)和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線。按品牌劃分，公司已經(jīng)形成了以 Foresee 品牌為載體的面向 工業(yè)市場(chǎng)的產(chǎn)品矩陣及以 Lexar(雷克沙)品牌為載體的面向消費(fèi)者市場(chǎng)的產(chǎn)品矩陣。全球數(shù)據(jù)中心加大投資拉動(dòng)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的需求，國(guó)產(chǎn)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)廠商發(fā)展迅速且空間廣闊。 根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2022 年全球云計(jì)算市場(chǎng)規(guī)模 4053 億美元，同比增長(zhǎng) 22.6%，面 向服務(wù)器、云計(jì)算的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域具備廣闊的市場(chǎng)前景。根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2021 年英 特爾、三星、美光等國(guó)際存儲(chǔ)原廠占中國(guó)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)份額合計(jì)超過(guò) 70%，居主導(dǎo)地 位。隨著國(guó)家對(duì)數(shù)據(jù)安全自主可控的重視程度不斷增加，存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的直接載體， 其對(duì)于數(shù)據(jù)安全可控戰(zhàn)略的落地及實(shí)現(xiàn)具有關(guān)鍵作用，也意味著國(guó)內(nèi)企業(yè)級(jí) SSD 廠商將 迎來(lái)更廣闊的發(fā)展空間。佰維存儲(chǔ)：嵌入式存儲(chǔ)為基，存儲(chǔ)器研發(fā)封裝一體化佰維存儲(chǔ)主要從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌 入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)及先進(jìn)封測(cè)服務(wù)。1)嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品類型涵蓋 ePOP、 eMCP、eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND 等，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、 平板、智能穿戴、無(wú)人機(jī)、智能電視、筆記本電腦、智能車載、機(jī)頂盒、智能工控、物聯(lián) 網(wǎng)等領(lǐng)域，部分嵌入式存儲(chǔ)已達(dá)到車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。2)消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移 動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域。3)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)包括工規(guī)級(jí) SSD、車載 SSD 及工業(yè)級(jí)內(nèi)存模組等，主要面向工業(yè)類細(xì)分市場(chǎng)，應(yīng)用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設(shè)備、智慧金融等領(lǐng)域。4)子公司惠州佰維專精于存儲(chǔ)器封測(cè)及 SiP 封測(cè)，目前掌握 16 層疊 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片異構(gòu)集成等先進(jìn)工藝量產(chǎn) 能力。3.3 主線三：存儲(chǔ)配套芯片及產(chǎn)業(yè)鏈廠商瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片龍頭，持續(xù)受益于 DDR5 滲透率提升主營(yíng)業(yè)務(wù)卡位內(nèi)存接口芯片優(yōu)質(zhì)賽道，行業(yè)壁壘高毛利高。全球內(nèi)存接口芯片認(rèn)證、技術(shù) 壁壘高，行業(yè)格局高度集中，自 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片僅剩瀾起科技、IDT、 Rambus三大玩家，同時(shí)由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者少，內(nèi)存接口芯片毛利率常年維持較高水平。2021 年公司內(nèi)存接口芯片營(yíng)收 17.17 億元，占總營(yíng)收的 67.01%，毛利率高達(dá) 66.72%。預(yù)計(jì) 瀾起科技未來(lái)將憑借被納為 JEDEC DDR4 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的“1+9”架構(gòu)及通過(guò)英特爾權(quán)威認(rèn) 證等優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提升內(nèi)存接口芯片市占率并穩(wěn)固全球霸主地位。 AI 革命及國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)津逮服務(wù)器/AI 芯片業(yè)務(wù)增量。瀾起科技于 2016 年與英特爾 和清華大學(xué)合作開發(fā)津逮服務(wù)器 CPU，目前產(chǎn)品已迭代至第三代，其集成深度學(xué)習(xí)加速 技術(shù)，強(qiáng)化了 AI 訓(xùn)練及推理能力，契合近期 AI 大爆發(fā)對(duì) CPU 快速處理海量數(shù)據(jù)的計(jì)算 需求。2021 年服務(wù)器 CPU 營(yíng)收由 2020 年的 0.30 億元飛速成長(zhǎng)到 8.45 億元。預(yù)計(jì)未來(lái) 伴隨我國(guó)數(shù)據(jù)安全政策體系逐步完善，國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)以及我國(guó)信創(chuàng)安全持續(xù)布局背景下， 服務(wù)器 CPU 業(yè)務(wù)將持續(xù)放量并帶來(lái)瀾起科技業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。瀾起科技的核心技術(shù)均系自主研發(fā)結(jié)果,每年的研發(fā)支出占營(yíng)收比例均在 15%以上。此外， 瀾起科技覆蓋從 DDR2 到 DDR5 的完整解決方案，并獲 Intel、Samsung、SK hynix 權(quán) 威認(rèn)證，產(chǎn)品可應(yīng)用于各種緩沖式內(nèi)存模組，滿足高性能服務(wù)器對(duì)高速、大容量的內(nèi)存系 統(tǒng)的需求。目前，瀾起科技的 DDR4 及 DDR5 內(nèi)存接口芯片已成功進(jìn)入國(guó)際主流內(nèi)存、 服務(wù)器和云計(jì)算領(lǐng)域，并占據(jù)全球市場(chǎng)的重要份額。歷經(jīng)二十余年發(fā)展，瀾起科技在行業(yè) 內(nèi)話語(yǔ)權(quán)不斷提高，公司內(nèi)部分研發(fā)人員在全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu) JEDEC 中擔(dān) 任重要職務(wù)，并入選 JEDEC 董事會(huì)，自 DDR4 世代開始，瀾起科技便深度參與 JEDEC 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定，以自身突出研發(fā)實(shí)力獲得市場(chǎng)高度認(rèn)可。
哦! 它是空的。