ST意法半導體首款用于氮化鎵(GaN)晶體管的電流隔離柵極驅動器STGAP2GS在要求出色的寬帶隙效率、強大的安全性和電氣保護的應用中，調整尺寸和物料成本。

單通道驅動器可以連接到最高1200V的高壓供電軌，對于STGAP2GSN窄體版本，可以連接到1700V的高壓供電軌，并提供最高15V的柵極驅動電壓。該驅動器能夠向連接的GaN晶體管提供高達3A的吸電流和源電流，確保在高工作頻率下嚴格控制開關轉換。

隔離柵上的傳播延遲極小，僅為45ns，因此STGAP2GS可確?？焖賱討B(tài)響應。此外，整個溫度范圍內100V/ns的dV/dt瞬態(tài)抗擾度可防止不必要的晶體管柵極變化。STGAP2GS提供獨立的吸電流和源電流引腳，可輕松調整柵極驅動操作和性能。

STGAP2GS驅動器無需分立器件來提供光隔離，因此可以在各種消費電子和工業(yè)應用中輕松采用高效、穩(wěn)定的GaN技術。其中包括計算機服務器、工廠自動化設備、電機驅動器、太陽能和風能系統(tǒng)、家用電器、家用風扇和無線充電器中的電源。

除了集成電流隔離，該驅動器還具有內置系統(tǒng)保護功能，包括針對GaN技術優(yōu)化的熱關斷和欠壓閉鎖(UVLO)，以確保可靠性和耐用性。

兩個演示板EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN，將標準STGAP2GS和窄STGAP2GSN與ST的Sgt 120 r 65 al 75mω、650V增強型GaN晶體管相結合，幫助用戶評估驅動器的性能。

這STGAP2GS采用SO-8寬體封裝，而STGAP2GSNSO-8窄版現(xiàn)已上市