ONSEMI安森美FDA28N50的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點(diǎn)如下：

一、參數(shù)

?類(lèi)型?：N溝道MOSFET

?引腳數(shù)?：3 Pin

?封裝?：TO-3P-3（也有資料提及TO-3-3）

?漏源極電壓(Vds)?：500V

?連續(xù)漏極電流(Id)?：28A

?導(dǎo)通電阻(RDS(on))?：0.175Ω（或175mOhms）

?功耗?：310W

?閾值電壓(Vgs(th))?：5V@250uA（也有資料提及3V）

?柵極電荷量(Qg)?：105nC@10V

?輸入電容(Ciss)?：3866pF @25V（或5.14nF@25V）

?上升時(shí)間?：126ns（或137ns）

?下降時(shí)間?：110ns（或101ns）

?工作溫度?：-55℃~+150℃

?高度?：20.1mm

?長(zhǎng)度?：16.2mm

?寬度?：5mm

?單位重量?：7.85g（或4.6g，可能因封裝或測(cè)量方式而異）

二、應(yīng)用領(lǐng)域

FDA28N50適用于多種開(kāi)關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，包括但不限于：

功率因數(shù)校正(PFC)

平板顯示屏(FPD) TV電源

ATX電源

電子燈鎮(zhèn)流器

三、功能特點(diǎn)

?低導(dǎo)通電阻?：有助于減少能量損耗，提高效率。

?卓越的開(kāi)關(guān)性能?：快速開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用。

?高雪崩能量強(qiáng)度?：能夠承受較高的電壓沖擊，增強(qiáng)器件的可靠性。

?內(nèi)部柵極-源極ESD二極管?：提供額外的靜電保護(hù)，增強(qiáng)器件的抗干擾能力。

?耐熱增強(qiáng)型封裝?：適應(yīng)高溫工作環(huán)境，確保器件長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

綜上所述，ONSEMI安森美FDA28N50是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于多種開(kāi)關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻、卓越的開(kāi)關(guān)性能、高雪崩能量強(qiáng)度等特點(diǎn)。