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三星電子發(fā)布全球首款PC專用LPCAMM內(nèi)存
最近，三星電子宣布成功研發(fā)出首款7.5Gbps低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）規(guī)格，目前已在英特爾平臺上完成系統(tǒng)驗證。這一突破性研發(fā)成果可能會對PC和筆記本電腦的DRAM市場產(chǎn)生影響，甚至改變數(shù)據(jù)中心DRAM市場的格局。
根據(jù)三星的新聞稿，目前個人計算機和筆記本電腦都使用傳統(tǒng)的LPDDR DRAM或基于DDR的So-DIMM內(nèi)存模組。然而，由于LPDDR需要直接安裝在設(shè)備主板上，因此在維修或升級換代期間難以更換。相比之下，雖然So-DIMM可以更方便地安裝或拆卸，但在性能、功耗和其他物理特性方面存在許多限制。
而LPCAMM技術(shù)則有望同時克服了LPDDR和So-DIMM的缺陷，做為可拆卸的內(nèi)存模組，LPCAMM在大大減少了設(shè)備內(nèi)部空間占用的同時，還大幅提高了性能及能效。與So-DIMM相比性能提高50%，能效提高70%，體積縮小 60%。
英特爾內(nèi)存和IO技術(shù)副總裁表示：“LPCAMM的能效和易修優(yōu)勢使這種新形態(tài)有機會改變當(dāng)今PC市場的游戲規(guī)則。我們很高興能參與制定新標準，為PC生態(tài)系統(tǒng)提供支持，并為未來在更廣泛的細分市場中被采用，以及為技術(shù)的創(chuàng)新奠定基礎(chǔ)?！?/p>
三星將于今年與包括英特爾在內(nèi)的主要客戶一起，將 LPCAMM 應(yīng)用于下一代系統(tǒng)進行測試，并計劃將于 2024 年實現(xiàn)其商業(yè)化。
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【技術(shù)】PCB抄板的技術(shù)實現(xiàn)過程，你知道嗎？
PCB抄板的技術(shù)實現(xiàn)過程簡單來說，就是先將要抄板的電路板進行掃描，記錄詳細的元器件位置，然后將元器件拆下來做成物料清單（BOM）并安排物料采購，空板則掃描成圖片經(jīng)抄板軟件處理還原成pcb板圖文件，然后再將PCB文件送制版廠制板，板子制成后將采購到的元器件焊接到制成的PCB板上，然后經(jīng)過電路板測試和調(diào)試即可。01PCB抄板的具體步驟1. 拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元氣件的型號，參數(shù)，以及位置，尤其是二極管，三級管的方向，IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機拍兩張元氣件位置的照片。現(xiàn)在的pcb電路板越做越高級上面的二極管三極管有些不注意根本看不到。2. 拆掉所有器多層板抄板件，并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內(nèi)，掃描儀掃描的時候需要稍調(diào)高一些掃描的像素， 以便得到較清晰的圖像。再用水紗紙將頂層和底層輕微打磨，打磨到銅膜發(fā)亮，放入掃描儀，啟動PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB 在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平豎直，否則掃描的圖像就無法使用。3. 調(diào)整畫布的對比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強 烈，然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復(fù)本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP，如果發(fā) 現(xiàn)圖形有問題還可以用PHOTOSHOP進行修補和修正。4. 將兩個BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件，在 PROTEL中調(diào)入兩層，如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個步驟做的很好，如果有偏差，則重復(fù)第三步。所以說pcb抄板是一項極需要耐 心的工作，因為一點小問題都會影響到質(zhì)量和抄板后的匹配程度。5. 將TOP層的BMP轉(zhuǎn)化為TOP.PCB，注意要轉(zhuǎn)化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。不斷重復(fù)知道繪制好所有的層。6. 在PROTEL中將TOP.PCB和BOT.PCB調(diào)入，合為一個圖就OK了。7. 用激光打印機將TOP LAYER，BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯，你就大功告成了。一塊和原板一樣的抄板就誕生了，但是這只是完成了一半。還要進行測試，測試抄板的電子技術(shù)性能是不是和原板一樣。如果一樣那真的是完成了。備注：如果是多層板還要細心打磨到里面的內(nèi)層，同時重復(fù)第三到第五步的抄板步驟，當(dāng)然圖形的命名也不同，要根據(jù)層數(shù)來定，一般雙面板抄板要比多層板簡單 許多，多層抄板容易出現(xiàn)對位不準的情況，所以多層板抄板要特別仔細和小心（其中內(nèi)部的導(dǎo)通孔和不導(dǎo)通孔很容易出現(xiàn)問題）。02雙面板抄板方法1. 掃描線路板的上下表層，存出兩張BMP圖片。2. 打開抄板軟件Quickpcb2005，點“文件”“打開底圖”，打開一張掃描圖片。用PAGEUP放大屏幕，看到焊盤，按PP放置一個焊盤，看到線按PT走線……就象小孩描圖一樣，在這個軟件里描畫一遍，點“保存”生成一個B2P的文件。3.再點“文件”“打開底圖”，打開另一層的掃描彩圖。4. 再點“文件”“打開”，打開前面保存的B2P文件，我們看到剛抄好的板，疊在這張圖片之上——同一張PCB板，孔在同一位置，只是線路連接不同。所以我們按“選項”——“層設(shè)置”，在這里關(guān)閉顯示頂層的線路和絲印，只留下多層的過孔。5. 頂層的過孔與底層圖片上的過孔在同一位置，現(xiàn)在我們再象童年時描圖一樣，描出底層的線路就可以了。再點“保存”——這時的B2P文件就有了頂層和底層兩層的資料了。6. 點“文件”“導(dǎo)出為PCB文件”，就可以得到一個有兩層資料的PCB文件，可以再改板或再出原理圖或直接送PCB制版廠生產(chǎn)。03多層板抄板方法其實四層板抄板就是重復(fù)抄兩個雙面板，六層就是重復(fù)抄三個雙面板……，多層之所以讓人望而生畏，是因為我們無法看到其內(nèi)部的走線。一塊精密的多層板，我們怎樣看到其內(nèi)層乾坤呢？——分層。現(xiàn)在分層的辦法有很多，有藥水腐蝕、刀具剝離等，但很容易把層分過頭，丟失資料。經(jīng)驗告訴我們，砂紙打磨是最準確的。當(dāng)我們抄完P(guān)CB的頂?shù)讓雍?，一般都是用砂紙打磨的辦法，磨掉表層顯示內(nèi)層；砂紙就是五金店出售的普通砂紙，一般平鋪PCB，然后按住砂紙，在PCB上均勻磨擦（如果板子很小，也可以平鋪砂紙，用一根手指按住PCB在砂紙上磨擦）。要點是要鋪平，這樣才能磨得均勻。絲印與綠油一般一擦就掉，銅線與銅皮就要好好擦幾下。一般來說，藍牙板幾分鐘就能擦好，內(nèi)存條大概要十幾分鐘；當(dāng)然力氣大，花的時間會少一點；力氣小花的時間就會多一點。磨板是目前分層用得最普遍的方案，也是最經(jīng)濟的了。咱們可以找塊廢棄的PCB試一下，其實磨板沒什么技術(shù)難度，只是有點枯燥，要花點力氣，完全不用擔(dān)心會把板子磨穿磨到手指頭哦。PCB布板過程中，對系統(tǒng)布局完畢以后，要對PCB 圖進行審查，看系統(tǒng)的布局是否合理，是否能夠達到最優(yōu)的效果。通?？梢詮囊韵氯舾煞矫孢M行考察：1. 系統(tǒng)布局是否保證布線的合理或者最優(yōu)，是否能保證布線的可靠進行，是否能保證電路工作的可靠 性。在布局的時候需要對信號的走向以及電源和地線網(wǎng)絡(luò)有整體的了解和規(guī)劃。2. 印制板尺寸是否與加工圖紙尺寸相符，能否符合PCB 制造工藝要求、有無行為標記。這一點需要特 別注意，不少PCB 板的電路布局和布線都設(shè)計得很漂亮、合理，但是疏忽了定位接插件的精確定位，導(dǎo)致 設(shè)計的電路無法和其他電路對接。3. 元件在二維、三維空間上有無沖突。注意器件的實際尺寸，特別是器件的高度。在焊接免布局的元 器件，高度一般不能超過3mm。4. 元件布局是否疏密有序、排列整齊，是否全部布完。在元器件布局的時候，不僅要考慮信號的走向 和信號的類型、需要注意或者保護的地方，同時也要考慮器件布局的整體密度，做到疏密均勻。5. 需經(jīng)常更換的元件能否方便地更換，插件板插入設(shè)備是否方便。應(yīng)保證經(jīng)常更換的元器件的更換和 接插的方便和可靠。
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IGBT和MOS管怎么區(qū)分，IGBT和MOS管能互換嗎？
IGBT和MOS管怎么區(qū)分！IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細介紹這兩種器件的特點和區(qū)別。首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。通過在金屬柵上施加電壓來控制半導(dǎo)體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體管。它由一個MOSFET和一個雙極型晶體管接在一起，具有MOSFET的高輸入電阻和雙極型晶體管的高功率開關(guān)能力。一、結(jié)構(gòu)上的區(qū)別MOS管：MOS管由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。金屬柵用于控制半導(dǎo)體中的電流，氧化物絕緣層用于隔離金屬柵和半導(dǎo)體基底，避免電流泄漏。半導(dǎo)體基底主要負責(zé)電流的傳導(dǎo)。MOS管通常包括N溝或P溝兩種類型，其工作原理基于柵極電場調(diào)制半導(dǎo)體中的電子或空穴的濃度，進而控制電流的流動。IGBT：IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管組成的混合式器件。它的柵結(jié)構(gòu)與MOS管相同，但其輸出特性類似于雙極型晶體管。與MOS管不同的是，IGBT的控制端和電流端都具有低電阻，可以實現(xiàn)高電壓、大電流的開關(guān)操作。二、工作原理的區(qū)別MOS管：MOS管的控制原理是通過改變控制電壓來控制柵極電場，使得柵極和源極之間的導(dǎo)電層形成或消失，從而控制電流的通斷。當(dāng)柵極電壓低于閾值時，導(dǎo)電層形成，電流可以流動；當(dāng)柵極電壓高于閾值時，導(dǎo)電層消失，電流無法通過。IGBT：IGBT通過MOSFET的控制電壓來控制MOSFET的柵電壓，進而控制雙極型晶體管的導(dǎo)通和截止。通過調(diào)整控制電壓的大小，可以控制電流的通斷。IGBT的特點是具有低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通電壓丟失，且耐壓能力強。它在交流電驅(qū)動和高壓開關(guān)應(yīng)用中特別有用。三、性能特點的區(qū)別MOS管：MOS管具有響應(yīng)速度快、輸入電阻高、開關(guān)性能穩(wěn)定等特點，可以實現(xiàn)較高的開關(guān)頻率。此外，由于其結(jié)構(gòu)簡單，制造工藝成熟，因此成本較低。IGBT：IGBT具有高速開關(guān)性能、高耐壓能力和低導(dǎo)通電壓丟失特性。它的輸出特性類似于雙極型晶體管，具有較高的導(dǎo)通電流和耐壓特性，適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。但相對于MOS管而言，IGBT具有較高的開關(guān)損耗和導(dǎo)通電壓丟失。綜上所述，IGBT和MOS管雖然在結(jié)構(gòu)和工作原理上有一些相似之處，但仍然存在一些顯著的區(qū)別。MOS管一般用于低功率應(yīng)用和高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT適用于高功率開關(guān)應(yīng)用。這兩種器件各有優(yōu)缺點，根據(jù)具體應(yīng)用的需求和性能要求選擇合適的器件非常重要。igbt和mos管能互換嗎IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是兩種常見的功率電子器件。盡管它們有一些相似之處，但在設(shè)計和使用上存在一些重要的區(qū)別，因此不能完全互換。下面是一個詳細的，2000字以上的文章，詳細介紹了IGBT和MOS管的特性、應(yīng)用和區(qū)別。在電力電子行業(yè)，IGBT和MOS管是常見的功率開關(guān)裝置，用于控制和調(diào)節(jié)高電壓、高電流電路中的能量流動。它們在各種應(yīng)用中都起著重要的作用，包括交流電機驅(qū)動、電源逆變器、電動汽車和工業(yè)自動化等。IGBT是一種可以實現(xiàn)功率放大功能的復(fù)合器件，結(jié)合了雙極性晶體管（bipolar junction transistor，BJT）和場效應(yīng)晶體管（field-effect transistor，F(xiàn)ET）的特性。它的結(jié)構(gòu)由一個PNPN四層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，內(nèi)部由一個N溝槽結(jié)構(gòu)嵌入。它既有MOS管低功耗的優(yōu)點，也有BJT低飽和壓降的優(yōu)點。IGBT的特性主要包括高輸入阻抗、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等。由于它具有較高的開關(guān)速度，可以在高頻率應(yīng)用中工作。它的輸入電流很小，控制電路的設(shè)計也相對簡單。因此，IGBT廣泛應(yīng)用于需要高電流和高電壓開關(guān)的場合，如電機驅(qū)動、靜態(tài)無干擾開關(guān)和電源逆變等。MOS管是一種三極型晶體管，結(jié)構(gòu)由一層絕緣層和兩個氧化物柵極之間的導(dǎo)電層構(gòu)成。當(dāng)柵源電壓(VGS)變化時，導(dǎo)電層中的電荷密度也發(fā)生變化，從而改變了漏極源極之間的電流。MOS管分為N型和P型兩種，分別用于負極性和正極性的應(yīng)用。MOS管的主要特點是低輸入電流、高輸入阻抗和低功耗等。由于它具有低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度的特點，被廣泛應(yīng)用于低電壓和低功率開關(guān)電路中，如手機充電器、數(shù)碼產(chǎn)品、電源管理等領(lǐng)域。盡管IGBT和MOS管有一些相似之處，例如高輸入阻抗和高開關(guān)速度，但它們在設(shè)計和使用上有一些重要的區(qū)別。首先，IGBT具有較高的開關(guān)速度，適用于高頻率應(yīng)用，而MOS管適用于低功耗和低電壓的應(yīng)用。其次，IGBT的輸出阻抗較低，具有較高的開關(guān)能力，而MOS管的輸出阻抗較高，適用于驅(qū)動能力較小的應(yīng)用。IGBT主要應(yīng)用于需要高電流和高電壓開關(guān)的場合，如電機驅(qū)動、工業(yè)自動化和電源逆變器等。MOS管則主要應(yīng)用于低功率和低電壓開關(guān)電路中，如數(shù)碼產(chǎn)品、低功耗電子設(shè)備和電源管理等。由于MOS管具有較低的導(dǎo)通壓降和功耗，更適合于需要長時間工作的應(yīng)用。綜上所述，IGBT和MOS管雖然都是常見的功率開關(guān)器件，但它們的特性和應(yīng)用有所不同，不能完全互換。IGBT適用于高電流和高電壓開關(guān)的場合，而MOS管適用于低功耗和低電壓的應(yīng)用。根據(jù)不同的設(shè)計需求和應(yīng)用場景，可以選擇合適的器件來實現(xiàn)所需的功能和性能。
哦! 它是空的。