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兆易創(chuàng)新:存儲(chǔ)板塊第四季度價(jià)格觸底

來(lái)源:兆易創(chuàng)新| 發(fā)布日期:2023-11-07 17:24

近日,兆易創(chuàng)新發(fā)布2023年三季報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示,本報(bào)告期中兆易創(chuàng)新凈利潤(rùn)減79.27%,三費(fèi)占比上升明顯。截至本報(bào)告期末,公司營(yíng)業(yè)總收入43.94億元,同比下降35.08%,歸母凈利潤(rùn)4.34億元,同比下降79.27%。按單季度數(shù)據(jù)看,第三季度營(yíng)業(yè)總收入14.29億元,同比下降28.14%,第三季度歸母凈利潤(rùn)9769.39萬(wàn)元,同比下降82.71%。

從公司近一年的財(cái)務(wù)報(bào)表來(lái)看,在盈利能力方面,主營(yíng)業(yè)務(wù)在產(chǎn)業(yè)鏈地位較高,有溢價(jià)權(quán),營(yíng)銷是有不小投入,行業(yè)有一定競(jìng)爭(zhēng)壓力。

兆易創(chuàng)新表示,第二季度毛利率為近幾年的階段性低點(diǎn),原因在于市場(chǎng)需求弱,供 給處于相對(duì)過(guò)剩的狀態(tài),同時(shí)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,公司各產(chǎn)品的平均售價(jià)呈現(xiàn)下降 趨勢(shì)。公司毛利率近幾個(gè)季度呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢(shì),目前判斷第二季度毛利率為 公司毛利率的階段性底部,再下降的空間不大,隨著行業(yè)趨勢(shì)的暖以及供需 的平衡,公司毛利率有望到相對(duì)正常的水平。

對(duì)于公司狀況,兆易創(chuàng)新提到,目前隨著庫(kù)存的去化,公司產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu)得到了一定程度的改善。同時(shí)上游供應(yīng)不再緊張,公司采購(gòu)成本也 有一定程度的降低,有助于后續(xù)持續(xù)改善成本結(jié)構(gòu)。

大存儲(chǔ)包括用于手機(jī)、PC和服務(wù)器的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)以及3D Nand的行情主要受到市場(chǎng)供需、技術(shù)進(jìn)步和消費(fèi)者需求等多種因素影響。存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了長(zhǎng)時(shí)間的下跌周期,很可能在第三季度觸底。關(guān)于存儲(chǔ)行情,兆易創(chuàng)新表示,存儲(chǔ)經(jīng)歷了約6-7個(gè)季度的下跌周期,在今年第三季度公司認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到了價(jià)格的底部區(qū)間,隨著主要廠商的持續(xù)減產(chǎn),達(dá)到了供需基本平衡的狀態(tài)。在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈,此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng),利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。

對(duì)于存儲(chǔ)芯片的走勢(shì),兆易創(chuàng)新認(rèn)為,明年公司認(rèn)為大體上隨著減產(chǎn)效應(yīng)的體現(xiàn),供需會(huì)達(dá)到平衡的狀態(tài),大存儲(chǔ)的價(jià)格有望延續(xù)反彈的走勢(shì),但也不太會(huì)出現(xiàn)暴漲暴跌的情況;利基型DRAM也會(huì)隨著大存儲(chǔ)反彈的走勢(shì),延續(xù)微弱反彈的趨勢(shì)。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時(shí)間。

近日,兆易創(chuàng)新接受了很多機(jī)構(gòu)調(diào)研,以下是半導(dǎo)體芯情整理的重要問(wèn)題,供大家參考學(xué)習(xí):

問(wèn)題 1、存儲(chǔ)板塊第四季度及明年景氣度的展望?

回答:存儲(chǔ)分為大存儲(chǔ)和利基存儲(chǔ)兩大塊。大存儲(chǔ)包括用于手機(jī)、PC和服務(wù)器的DRAM以及3D Nand,主要供應(yīng)商為以三星為代表的國(guó)際頭部廠商。大存儲(chǔ)經(jīng)歷了約6-7個(gè)季度的下跌周期,在今年第三季度我們認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到了價(jià)格的底部區(qū)間,隨著主要廠商的持續(xù)減產(chǎn),達(dá)到了供需基本平衡的狀態(tài)。在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈,此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng),利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。明年我們認(rèn)為大體上隨著減產(chǎn)效應(yīng)的體現(xiàn),供需會(huì)達(dá)到平衡的狀態(tài),大存儲(chǔ)的價(jià)格有望延續(xù)反彈的走勢(shì),但也不太會(huì)出現(xiàn)暴漲暴跌的情況;利基型DRAM也會(huì)隨著大存儲(chǔ)反彈的走勢(shì),延續(xù)微弱反彈的趨勢(shì)。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時(shí)間。在NOR Flash和SLC Nand Flash,其應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛,隨著客戶以及渠道庫(kù)存的去化,以及消費(fèi)類的恢復(fù),產(chǎn)品需求量和消費(fèi)量有所反彈。從公司的經(jīng)營(yíng)情況看,NOR Flash出貨總?cè)萘砍尸F(xiàn)逐季增長(zhǎng)的趨勢(shì);從行業(yè)和行業(yè)友商的情況來(lái)看,明年的需求會(huì)保持一個(gè)比較正常的狀態(tài),各家的庫(kù)存情況應(yīng)該會(huì)得到有效的去化,我們預(yù)計(jì)會(huì)逐漸恢復(fù)到供需平衡的狀態(tài);從價(jià)格來(lái)看,NOR Flash和SLC Nand Flash過(guò)去幾個(gè)季度還是延續(xù)下跌的趨勢(shì),近期看基本上跌幅在不斷縮小,已經(jīng)趨于平穩(wěn),我們也會(huì)密切關(guān)注市場(chǎng)走勢(shì)和價(jià)格變動(dòng)情況。

問(wèn)題 2、公司毛利率后續(xù)是否會(huì)持續(xù)改善?

回答:三季度毛利率提升主要有兩個(gè)原因:一是隨著公司經(jīng)營(yíng)策略的演進(jìn),經(jīng)銷DRAM業(yè)務(wù)大幅縮減。經(jīng)銷DRAM業(yè)務(wù)毛利率非常低,此業(yè)務(wù)的大幅縮減對(duì)公司整體毛利率提升有幫助;二是三季度有一部分之前計(jì)提存貨減值的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售,利潤(rùn)沖回。從主要產(chǎn)品看,NOR Flash和MCU在三季度并沒(méi)有明顯的毛利率提升,產(chǎn)品平均價(jià)格還處于底部的區(qū)間。DRAM價(jià)格有微弱反彈,NOR Flash和MCU價(jià)格目前還在筑底過(guò)程中,我們認(rèn)為需求和價(jià)格基本已到底部,但價(jià)格真正有效的反彈還要再持續(xù)觀察。第四季度是傳統(tǒng)的淡季,供需和價(jià)格會(huì)趨于平穩(wěn),明年毛利率的情況主要還是要看明年需求回暖的情況。

問(wèn)題 3、公司 DRAM 業(yè)務(wù)的整體規(guī)劃?

回答:公司DRAM業(yè)務(wù)基于和核心供應(yīng)商的戰(zhàn)略合作關(guān)系,在供應(yīng)鏈上有保障。公司DRAM主要為利基型產(chǎn)品,即非應(yīng)用于手機(jī)、PC、服務(wù)器的DRAM產(chǎn)品,包括小容量DDR4及LPDDR4、DDR3等產(chǎn)品。過(guò)去幾年公司DRAM業(yè)務(wù)處于從無(wú)到有開展技術(shù)研發(fā)的過(guò)程,經(jīng)過(guò)努力DDR4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),DDR3在2023年基本完成功能驗(yàn)證和客戶導(dǎo)入的工作,目前處于良率提升和起量爬坡階段,有望在2024年為公司貢獻(xiàn)更多營(yíng)收。公司也在積極開展8Gb DDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā),希望補(bǔ)齊整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口利基型DRAM產(chǎn)品線,有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展,滿足客戶需求。

問(wèn)題 4、MCU 產(chǎn)品價(jià)格趨勢(shì)?

回答:MCU 產(chǎn)品價(jià)格已經(jīng)經(jīng)歷了大約 4 個(gè)季度的下降,到今年第三季度價(jià)格基本趨于平穩(wěn),第四季度價(jià)格仍會(huì)是趨于平穩(wěn)并筑底的階段。

問(wèn)題 5、M7 內(nèi)核新產(chǎn)品目前的進(jìn)展情況?

回答:M7 內(nèi)核 MCU 產(chǎn)品有多個(gè)系列,很多客戶在做導(dǎo)入,10 月份開始陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn),已經(jīng)有部分型號(hào)產(chǎn)品量產(chǎn)交付,其他型號(hào)產(chǎn)品也會(huì)陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,整體看還是比較順利。

問(wèn)題 6、目前 MCU 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,公司對(duì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的展望?

回答:前兩年 MCU 缺貨,很多廠商進(jìn)入 MCU 領(lǐng)域,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈。從公司多年 MCU 業(yè)務(wù)發(fā)展來(lái)看,MCU 產(chǎn)品比較有門檻,主要表現(xiàn)是 MCU 客戶群體非常分散,公司 MCU 客戶有 2 萬(wàn)多家,由非常多的客戶才取得目前的規(guī)模,因此 MCU 產(chǎn)品形成較好體量難度比較大。今年行業(yè)整體下行的情況下,更加速了行業(yè)的洗牌,現(xiàn)在是一個(gè)非常艱難的內(nèi)卷時(shí)期,但是隨著行業(yè)的洗牌,未來(lái)會(huì)越來(lái)越好。

問(wèn)題 7、公司目前存貨情況?

回答:近幾個(gè)季度以來(lái)公司存貨呈逐步下降的趨勢(shì),公司也在加大去庫(kù)存的力度。在產(chǎn)成品和半成品上,每個(gè) BU 的情況不一樣,生產(chǎn)周期也不一樣,有的BU 產(chǎn)成品多一些,有的 BU 原材料庫(kù)存多一些。公司存貨的整體周轉(zhuǎn)情況與銷售狀況基本匹配,目前存貨周轉(zhuǎn)率大約是 5-6 個(gè)月。在存貨賬上,現(xiàn)在是一年以內(nèi)的存貨居多,一年以上的存貨是少數(shù)。對(duì)于長(zhǎng)賬齡存貨,包括即使是在一年以內(nèi)的存貨,我們也會(huì)考慮未來(lái)的銷售情況計(jì)提相應(yīng)減值,目前存貨減值計(jì)提充分。

問(wèn)題 8、晶圓和封測(cè)端成本的下降預(yù)計(jì)在什么時(shí)候會(huì)對(duì)公司毛利率提升有大幅明顯的體現(xiàn)?預(yù)計(jì)四季度毛利率通過(guò)成本優(yōu)化帶來(lái)的提升空間如何?

回答:公司存貨流轉(zhuǎn)狀況是按先進(jìn)先出的原則,即先前高價(jià)庫(kù)存先出、后續(xù)低價(jià)庫(kù)存后出。在會(huì)計(jì)核算上則是按照加權(quán)平均計(jì)算,所以成本變化的幅度不一定和代工采購(gòu)成本的變化完全相符,在成本端的體現(xiàn)會(huì)是一個(gè)平滑的過(guò)程。成本端變化帶來(lái)的毛利率變化,在不同 BU 也會(huì)有區(qū)別,因?yàn)椴煌?BU 的產(chǎn)品在其生產(chǎn)的晶圓廠代工價(jià)格有區(qū)別。

問(wèn)題 9、存儲(chǔ)周期上行的情況下,明年存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上漲的彈性如何?

回答:利基 DRAM 價(jià)格受主流 DRAM 價(jià)格的牽引,主流 DRAM 價(jià)格如果出現(xiàn)大幅反彈,會(huì)帶動(dòng)利基 DRAM 的價(jià)格反彈。展望明年,主要還是看行業(yè)頭部供應(yīng)商的產(chǎn)能策略和價(jià)格策略。NOR Flash 產(chǎn)品上,我們判斷現(xiàn)在供應(yīng)較充足,主要供應(yīng)商的產(chǎn)能都在正常狀態(tài),整體產(chǎn)能在過(guò)去兩年的基礎(chǔ)上還有增長(zhǎng),如果市場(chǎng)需求在延續(xù)現(xiàn)有態(tài)勢(shì)上微弱反彈,目前產(chǎn)能還是可以滿足需求。在此情況下,我們判斷 NOR Flash 價(jià)格在下一輪供需平衡達(dá)成以前,不會(huì)出現(xiàn)明顯的上漲。需要在下一輪供需平衡達(dá)成并維持一段時(shí)間以后,觀察是否有新的需求牽引,帶動(dòng)價(jià)格上漲。同時(shí)如果有部分供應(yīng)商退出,也會(huì)減少整體的供應(yīng)量,也可能推動(dòng)價(jià)格上漲。公司仍延續(xù)既有戰(zhàn)略,以產(chǎn)品研發(fā)和市占率為主。

問(wèn)題 10、公司 DRAM 產(chǎn)品代工廠商產(chǎn)能情況?

回答:公司為 Fabless 模式,所有的晶圓生產(chǎn)都由供應(yīng)商伙伴來(lái)完成,包括利基 DRAM。目前公司利基 DRAM 產(chǎn)能正常。

問(wèn)題 11、公司 RISC-V架構(gòu)產(chǎn)品情況?

回答:2019 年公司即推出了 RISC-V 架構(gòu)的 MCU 產(chǎn)品,今年 10 月公司新發(fā)布 RISC-V 架構(gòu)雙模無(wú)線 MCU 產(chǎn)品,未來(lái)還會(huì)有更多的產(chǎn)品發(fā)布。ARM內(nèi)核產(chǎn)品最大優(yōu)勢(shì)在于生態(tài)非常完備,RISC-V 架構(gòu)優(yōu)勢(shì)在于成本更好,需要 RISC-V 架構(gòu)產(chǎn)品的客戶通常對(duì)成本比較敏感,同時(shí)自身研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)。公司會(huì)跟隨市場(chǎng)需求做技術(shù)準(zhǔn)備并開發(fā)產(chǎn)品線。

問(wèn)題 12、公司車規(guī) MCU 是否會(huì)有更多新產(chǎn)品發(fā)布?

回答:會(huì)有新產(chǎn)品發(fā)布。公司車規(guī) MCU 從車身域做起,逐漸會(huì)做到更高需求、更高功能安全等級(jí)的領(lǐng)域,包括底盤、動(dòng)力域等。

問(wèn)題 13、公司半年報(bào)中庫(kù)存是原材料增加比較多,產(chǎn)成品下降比較多,三季度是否相同?原材料增加比較多的原因?

回答:三季度的趨勢(shì)和二季度基本一致。從整體銷售額看,F(xiàn)lash 產(chǎn)品占比較大,存貨占比亦相應(yīng)較高,存貨中大部分在原材料階段測(cè)試階段,并在生產(chǎn)周期允許的范圍內(nèi)去生產(chǎn)。相比前端生產(chǎn)周期,封裝周期較短,一旦有市場(chǎng)需求,即可快速完成封裝形成產(chǎn)成品滿足客戶需求,因此公司存貨中原材料會(huì)多一些。

問(wèn)題 14、后續(xù)晶圓價(jià)格下降,在售價(jià)維持穩(wěn)定、成本下降的情況下,四季度毛利率是否是上升的趨勢(shì)?

回答:在成本端不會(huì)很快有大幅度的下降,因?yàn)楫a(chǎn)品生產(chǎn)周期較長(zhǎng),通常晶圓生產(chǎn)階段約 3-4 個(gè)月,封測(cè)階段約 1-2 個(gè)月,目前的產(chǎn)品會(huì)是至少在半年之前的訂單生產(chǎn)的產(chǎn)品。在此情況下,成本下降會(huì)是一個(gè)較慢一些的過(guò)程,帶來(lái)的毛利率提升也不會(huì)是一個(gè)快速的提升。同時(shí)四季度毛利率還需要觀察供需和產(chǎn)品售價(jià)的變化情況。

問(wèn)題 15、利基 DRAM 價(jià)格受主流 DRAM 價(jià)格的牽引,主流 DRAM 漲價(jià)會(huì)帶動(dòng)利基 DRAM 漲價(jià),從過(guò)往周期來(lái)看,這個(gè)過(guò)程需要多長(zhǎng)時(shí)間?

回答:利基 DRAM 價(jià)格和主流 DRAM 價(jià)格有趨同性,因?yàn)樾袠I(yè)頭部的供應(yīng)商既是主流 DRAM 的供應(yīng)商,也是利基 DRAM 的主要供應(yīng)商,但此價(jià)格的聯(lián)動(dòng)性也并無(wú)一定之規(guī)。具體到每一款產(chǎn)品,還是根據(jù)供求關(guān)系來(lái)決定,前年也出現(xiàn)過(guò) DDR3 某些款的產(chǎn)品,其價(jià)格漲幅比標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 漲幅更大的情況。