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肖特基二極管：小巧玲瓏，功效不凡！
肖特基二極管：小巧玲瓏，功效不凡！
肖特基二極管是一種重要的半導體器件，其工作原理是利用金屬與半導體間的肖特基勢壘形成的電勢差，使得電子在半導體中流動，實現(xiàn)電流的控制。
肖特基二極管具有響應速度快、反向漏電流小、溫度穩(wěn)定性好等特點，因此在電子設(shè)備中應用廣泛。比如，手機電池保護電路、電源開關(guān)、LED驅(qū)動等。
常見的肖特基二極管品牌有STMicroelectronics的STPS系列、ON Semiconductor的MBR系列、Vishay的SS系列等，型號也非常豐富。
不過，肖特基二極管也有一些缺點，比如漏電流大、容易受到電磁干擾等。因此，在實際應用中需要結(jié)合具體情況選擇合適的器件。
總之，肖特基二極管雖小，但功效不凡，是電子產(chǎn)品中不可或缺的器件之一。
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一文讀懂亞德諾LTM4644IY PBF電源模塊優(yōu)缺點、參數(shù)、應用和引腳封裝圖
ADI(亞德諾)的型號LTM4644IY#PBF屬于電源模塊，是一個四路DC/DC降壓μModule(微模塊)調(diào)節(jié)器，每個輸出4A。輸出可以并聯(lián)在一個數(shù)組中，最高可達16A能力。包中包括開關(guān)控制器，功率場效應晶體管，電感器和支持組件。LTM4644IY#PBF外部偏置供電，輸入電壓范圍為4V~14V或2.375V~14V，輸出電壓范圍為0.6V~5.5V。其高效率的設(shè)計提供了每個通道4A連續(xù)(5A峰值)的輸出電流，只需要大量的輸入和輸出電容。亞德諾LTM4644IY#PBF的中文參數(shù)品牌：ADI(亞德諾)產(chǎn)品分類：電源模塊系列：μModule?電壓 - 輸出 2：0.6 ~ 5.5V電壓 - 輸出 3：0.6 ~ 5.5V電壓 - 輸出 4：0.6 ~ 5.5V包裝：托盤電流 - 輸出(最 大值)：4A，4A，4A，4A應用：ITE(商業(yè))類型：非隔離 PoL 模塊特性：OCP，OTP，OVP輸出數(shù)：4工作溫度：-40°C ~ 125°C電壓 - 輸入(最小值)：4V電壓 - 輸入(最 大值)：14V安裝類型：表面貼裝型電壓 - 輸出 1：0.6 ~ 5.5V封裝：77-BGA亞德諾LTM4644IY#PBF的功能特點1、每路輸出可提供 4A 電流的四通道輸出降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器2、寬輸入電壓范圍：4V 至 14V3、2.375V 至 14V (采用外部偏置)4、0.6V 至 5.5V 輸出電壓5、每通道可提供 4A DC、5A 峰值輸出電流6、高達 5.5W 功耗 (TA = 60oC，200 LFM，無散熱器)7、±1.5% 的總輸出電壓調(diào)節(jié)8、電流模式控制、快速瞬態(tài)響應9、可通過并聯(lián)提供更高的輸出電流10、輸出電壓跟蹤11、內(nèi)部溫度檢測二極管輸出12、外部頻率同步13、過壓、過流和過熱保護14、9mm x 15mm x 5.01mm BGA 封裝亞德諾LTM4644IY#PBF的應用領(lǐng)域LTM4644IY#PBF是一款高性能的運算放大器，適用于需要高精度、高帶寬、低噪聲和低失真的應用場合，其主要應用領(lǐng)域如下：測試與測量：AD8675ARZ在測試設(shè)備、儀器儀表和自動化設(shè)備中得到廣泛應用，用于增益放大、傳感器信號處理和電壓比較等功能。醫(yī)療設(shè)備：由于AD8675ARZ具有低噪聲和高精度的特性，因此在醫(yī)療設(shè)備中被廣泛應用，如心電圖儀、超聲波設(shè)備、血壓監(jiān)測儀等。通信與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備：AD8675ARZ在通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中用于信號處理、濾波、放大和驅(qū)動等功能，例如調(diào)制解調(diào)器、組播系統(tǒng)、寬帶通信設(shè)備等。音頻設(shè)備：AD8675ARZ可用于高保真音頻放大器、音頻接口、音頻測試設(shè)備等，為音頻信號的放大和處理提供精確和準確的性能。電力測量與控制：AD8675ARZ可以在電力測量和控制系統(tǒng)中提供高精度的信號處理和放大功能，用于電流、電壓和功率測量等應用。LTM4644IY#PBF的引腳封裝圖LTM4644IY#PBF的功能框圖
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長江存儲Xtacking技術(shù)：國產(chǎn)存儲打敗了美光、三星
5月21日美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。在美光被限制在大陸銷售之后，長江存儲在全球存儲芯片不斷降價的前提下，漲價了。是因為國外廠商在大陸銷售受限，存儲市場出現(xiàn)賣方市場，還是長江存儲核心技術(shù)Xtacking又有新突破?中國出手：停止采購美光5月21日晚消息，美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。此次對美光公司產(chǎn)品進行網(wǎng)絡(luò)安全審查，目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全問題危害國家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全，是維護國家安全的必要措施。中國堅定推進高水平對外開放，只要遵守中國法律法規(guī)要求，歡迎各國企業(yè)、各類平臺產(chǎn)品服務進入中國市場。3月31日，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室曾發(fā)布公告稱，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風險，維護國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對美光公司(Micron)在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡(luò)安全審查。公開資料顯示，美光科技公司是一家全球領(lǐng)先的高級半導體解決方案供應商，是美國最大的電腦存儲芯片生產(chǎn)商，也是全球僅余的三大存儲芯片生產(chǎn)巨頭之一。主要業(yè)務是生產(chǎn)多種形式的半導體器件，包括動態(tài)隨機存取存儲器、閃存和固態(tài)驅(qū)動器;主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊。截至美股5月19日收盤，美光科技(MU)股價68.17美元，漲0.89%，總市值746億美元(約5227.9億元人民幣)。長江存儲宣布漲價在3月31日，美光被網(wǎng)信辦調(diào)查之后，白宮竟然不允許三星和海力士等國外廠商來填補中國市場空缺，客觀情況下，這給長江存儲創(chuàng)造良好的外部環(huán)境。在美光被限制在大陸銷售之后，長江存儲在全球存儲芯片不斷降價的前提下，漲價了!5月16日消息，據(jù)供應鏈人士透露，長江存儲原廠閃存正式開始漲價，幅度大約3-5%，比如256G已經(jīng)漲價4-5美元(約合人民幣28-35元)。據(jù)悉，漲價最先影響的是企業(yè)級市場，消費級的現(xiàn)貨市場可能還需要一段時間才會看到明顯上漲。目前，長江存儲致態(tài)TiPro7000 1/2TB分別只要579/1019元，TiPlus7100 1/2TB更是僅為509/959元。2021年到2022年，以三星為代表的存儲公司出現(xiàn)庫存激增，單價下滑的情況。原因之一是半導體行業(yè)處于下行趨勢;其二是SSD市場飛速發(fā)展，成本已經(jīng)大幅降低，再加上這一年來市場需求嚴重下滑，全球各大 NAND 廠商庫存持續(xù)處于高位，因此為爭奪出貨量不得不開啟降價模式，目前 SSD 可以說是來到了“白菜價”水平。不單單是大牌，目前很多小眾品牌的固態(tài)硬盤已經(jīng)殺到了接近機械硬盤的價位，例如部分采用長江存儲泰山顆粒+ 聯(lián)蕓 1602 主控的固態(tài)硬盤目前已經(jīng)來到了每 TB 200 元出頭的程度。而隨著三星、美光、SK 海力士等品牌 NAND 顆粒已經(jīng)開始逐步小幅拉升，大部分產(chǎn)品已經(jīng)很長時間沒有再繼續(xù)降價。從中國閃存市場數(shù)據(jù)來看，NAND 指數(shù)已經(jīng)有近兩個月的時間穩(wěn)定在一個區(qū)間，降價趨勢已經(jīng)大幅低于去年年底。在這種情況下，國產(chǎn)龍頭企業(yè)長江存儲自然也不愿意看到市場在繼續(xù)下跌。最新消息表明，長江存儲的顆粒報價已經(jīng)從上周開始抬升。長江存儲漲價的原因：一是市場回暖;其二是，Xtacking 技術(shù)越來越成熟，引領(lǐng)行業(yè)。長江存儲Xtacking 3.0 最具顛覆性的技術(shù)之一長江存儲的核心技術(shù)叫做Xtacking，根據(jù)公開信息Xtacking代替已經(jīng)進化到了3.0版本，長江存儲最新發(fā)布的Tiplus71000產(chǎn)品，使用的是x3-9070.也就是傳說中的232層3DNAND顆粒，雖然長江存儲公布Xtacking3.0的時間點晚于美國，但相關(guān)產(chǎn)品卻先于美國上市，那么可以得出這樣一個結(jié)論，長江存儲是世界上第一個量產(chǎn)232層3DNAN公司。作為中國領(lǐng)先的NAND存儲器集成器件制造商(IDM)，長江存儲發(fā)展迅速。在2018年的閃存峰會(FMS)上首次推出了Xtacking 1.0架構(gòu)，隨后于2019年推出了Xstacking 2.0.正如許多科技公司一樣，2022年對長江存儲來說是坐了一年過山車。首先是蘋果計劃將長江存儲的128L芯片納入其產(chǎn)品的消息，然后是美國政府對長江存儲實施限制后的迅速轉(zhuǎn)變。與此同時，長江存儲稱Xtacking 3.0現(xiàn)已上市，這引發(fā)了人們對該公司是否仍能在沒有蘋果繼續(xù)支持的情況下大規(guī)模生產(chǎn)該設(shè)備的質(zhì)疑。TechInsights將Xtacking 3.0視為2022年最具顛覆性的技術(shù)之一。首先，創(chuàng)新架構(gòu)在新興的存儲器半導體行業(yè)中并沒有真正競爭者;其次，最近對YMTC實施的限制使這項技術(shù)成為地緣政治的焦點。最先進的長江存儲的固態(tài)顆粒性能非常優(yōu)異，不管是速度穩(wěn)定性還是持久力都屬于頂尖水平，尤其是持久力深受廣大“挖礦”人士的喜愛。但是如此優(yōu)異性能背后技術(shù)并不是大家想象中難那么的先進，Xtacking其實是一種落后的技術(shù)，Xtacking的本質(zhì)其實是一種非常典型的晶元電荷式系統(tǒng)及封裝技術(shù)，長江存儲把3DNAN的存儲單元和CMOS邏輯電路分別在兩塊晶元上加工和制造，最終通過晶元鍵和技術(shù)加兩塊晶圓粘在一起。事實上三星、美光、海力士一定在實驗室嘗試過Xtacking技術(shù)，因為Xtacking需要兩塊晶圓疊加介質(zhì)對準等因素的影響，導致產(chǎn)品高企。眾所周知商業(yè)環(huán)境里評判一個技術(shù)的好壞，最關(guān)鍵的條件不是這個技術(shù)是否先進，而是這項技術(shù)是否能在低成本低損耗的情況下保證產(chǎn)品性能并進行大規(guī)模量產(chǎn)，很顯然在三星、海力士、美光的驗證下Xtacking并不是這樣的技術(shù)。但是為什么長江存儲要走這條路?因為其他路被三星、海力士、美光、東芝、英特爾堵死了。這5家公司在存儲行業(yè)耕耘了30年之久，經(jīng)驗累積十分豐富技術(shù)先進。東芝還是第一塊DNAN的發(fā)明者長存，如果復制國際先進存儲廠商成功產(chǎn)品的路子，技術(shù)壁壘無法打破不說，還有極大可能面對專利起訴得不償失。所以長江存儲選擇直接上Xtacking這種看似無法大規(guī)模量產(chǎn)的技術(shù)。令人矚目的是，長江存儲把一個看似無法大規(guī)模量產(chǎn)的技術(shù)硬做到量產(chǎn)，而且Xtacking迭代速度極快，快到讓所有人咋舌。2022年11月長存宣布232層Xtacking3.0技術(shù)研發(fā)成功，并立刻推出全新產(chǎn)品，Tiplus71000.4年更新三代技術(shù)，并且在第三代技術(shù)發(fā)布的時候，完成了對國外最先進公司的反超速度著實有點太離譜了，就連三星電子CEO金奇楠也公開表示，三星本來在2025年左右采用類似Xtacking3.0的技術(shù)，沒想到長江存儲竟然率先量產(chǎn)了。被美國技術(shù)制裁一般來講，當我國的科技公司對外國公司實現(xiàn)技術(shù)趕超的時候，一定會面臨一個問題，華為是這樣大疆是這樣，現(xiàn)在輪到長江存儲了，那就是美國制裁。2022年10月7日，美國半導體設(shè)備供應商接到美國商務部通知，禁止在對大陸晶元廠提供服務。2022年12月15日，美國商務部將包括長江存儲在內(nèi)的30多家中國實體加入實體清單。僅從目前的信息來看，長江存儲貌似沒太受到美國制裁的影響，存儲顆粒一個勁往外供貨，致態(tài)也是持續(xù)刷新底價，一派欣欣向榮景象，但是最近看到了一些長存固態(tài)吊盤的情況出現(xiàn)，或和制裁有關(guān)。Xtacking美國制裁長江存儲，那長存的技術(shù)卡點在哪里?Xtacking本身是不存在任何被制裁或者被打?qū)＠麘?zhàn)的可能的，因為這項技術(shù)是百分之百自主研發(fā)，但是把Xtacking做成產(chǎn)品的過程中，卻存在一些躲不開的難題。第一個難點是晶元鍵合技術(shù)的專利問題，晶元鍵合是Xtacking的核心技術(shù)之一，或者說正是因為長江存儲解決了晶元鍵合的難題，才使得Xtacking變成了先進技術(shù)。從專利數(shù)量上來看，長江存儲自成立以來就一直在申請晶元鍵合方面的專利，到目前為止總共申請了大概850個晶元鍵合技術(shù)方面的專利，不過長存的晶元鍵合技術(shù)也不完全是自研。2021年10月長江存儲與美國專利公司Xperi達成專利授權(quán)協(xié)議，長江存儲通過該協(xié)議獲得了Xperi的DBI混合鍵合技術(shù)相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)。從專利情況來看，長江存儲在混合晶元件和方面的技術(shù)積累不算太多，絕大部分帶有混合晶元件和字眼的專利都屬于該項技術(shù)的終端應用，比如類似于三維存儲器的制造方法，半導體結(jié)構(gòu)這樣的技術(shù)應用型發(fā)明專利。所以Xperi的專利授權(quán)協(xié)議一直是一塊心病，畢竟白宮的制裁優(yōu)先級最高Xperi授權(quán)的連續(xù)性也許會出現(xiàn)問題。第二個難點那就是老生常談的芯片制造問題了，也就是設(shè)備和材料。長江存儲在制造設(shè)備方面的卡點并不是光刻機，而是刻蝕機。Xtacking技術(shù)是把存儲單元和外圍CMOS電路放在兩塊晶圓上加工，存儲單元不需要特別高的制程做支撐，CMOS電路可能需要二十幾納米的制程，生產(chǎn)二十幾納米芯片的光刻機是可以買到的。但生產(chǎn)存儲單元有個難題叫做高深寬比刻蝕，簡單來講就是三維存儲器層數(shù)越高，需要的刻蝕深寬比就越大，Xtacking快速迭代的能力一方面來自其技術(shù)本身的特點，另一方面其實是需要先進刻蝕機來做配合。現(xiàn)階段泛林最先進的刻蝕機臺能做到80~100:1的深寬比。不過目前來看，泛林已經(jīng)對長江存儲斷供了，所以只剩下中微半導體這一個選擇國產(chǎn)替代任重道遠長江存儲一條3DNAND產(chǎn)線上需要大概40種刻蝕機臺，從之前的招標情況來看，中微公司大概只能提供10種機臺，在ICP刻蝕機臺方面完全是零中標，并且缺少了先進機臺的支持。當下缺少先進刻蝕機臺，長存技術(shù)迭代的速度可能也會慢下來，過去兩年一代的更新頻率大概率不會再出現(xiàn)。如今外國先進存儲廠商在大陸銷售受限，長江存儲能吃下這塊市場還是要依靠本土先進的設(shè)備生產(chǎn)廠商的努力。北方華創(chuàng)、中微半導體、盛美、拓荊科技、精測電子、上海微電子、中科飛測、華峰測控、長川科技一定要把握住千載難逢的機會。長江存儲目前是中國除了華為之外最重要的芯片公司之一，互聯(lián)網(wǎng)時代增長最快的不是流量而是數(shù)據(jù)，尤其在ChatGPT問世以后，算力芯片存儲芯片的需求都是成倍地增長，如果沒有長江存儲的崛起，我國仍舊需要花費大量的外匯來購買三星、海力士、美光、東芝等外國公司的產(chǎn)品，價格昂貴暫且不提，外國廠商有沒有在其中加入后門，我們也猶未可知。
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